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ME8200M6G-N 高性能電流模式 PWM 控制器

jf_95732097 ? 來源: jf_95732097 ? 作者: jf_95732097 ? 2023-05-19 14:12 ? 次閱讀
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概述

ME8200-N 是一個高性能電流模式 PWM 控制器,為中小功率電源設(shè)計提供了最佳選擇,該芯片能使系統(tǒng)設(shè)計輕易實現(xiàn)超低的待機(jī)功耗、優(yōu)良的 EMI 性能、無 Y 電容、無異音的低成本方案,相對于同領(lǐng)域的其它芯片,

ME8200-N 具有極高的性價比。ME8200-N 擁有完善的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)(OCP),過載保護(hù)(OLP),欠壓鎖定(UVLO),過壓保護(hù)(OVP)等,以確保系統(tǒng)可靠的工作。

特點

● 超低啟動電流

● 降噪功能

● 輕載進(jìn)入綠色模式

● 頻率抖動功能

● 過功率補(bǔ)償

●前沿消隱

● 斜坡補(bǔ)償

● 完善的保護(hù):OCP,OLP,UVLO,OVP

應(yīng)用

●適配器

●機(jī)頂盒

●開放式電源

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有需要樣品或詳細(xì)資料內(nèi)容可+V:runzexin-18

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ME8200-N 是一個高性能電流模式 PWM 控制器,為中小功率電源設(shè)計提供了最佳選擇,該芯片能使系統(tǒng)設(shè)計輕易實現(xiàn)超低的待機(jī)功耗、優(yōu)良的 EMI 性能、無 Y 電容、無異音的低成本方案,相對于同領(lǐng)域的其它芯片,ME8200-N 具有極高的性價比。

啟動過程

啟動過程中,因為芯片設(shè)計的超低啟動電流,VDD通過一大阻值電阻充電,使損耗降到最低。當(dāng) VDD 升到14V 時,芯片內(nèi)部模塊邏輯開始工作,驅(qū)動高壓 MOS 開關(guān)。正常工作狀態(tài),輔助繞組上的電壓會隨著輸出電壓的升高而升高,到一定程度后開始給芯片供電。如果 VDD電壓低于 9V,芯片將自動關(guān)閉,重新進(jìn)入啟動過程。

頻率設(shè)置

ME8200-N 的 RI 腳外接一電阻連接到地,決定芯片的工作頻率。F=6500/RI。

頻率抖動

ME8200-N 集成頻率抖動功能,正常工作狀態(tài),芯片工作頻率圍繞中心頻率在±4%的范圍內(nèi)隨機(jī)變化,有效改善系統(tǒng)的 EMI 特性,簡化系統(tǒng)的設(shè)計。

深圳市潤澤芯電子有限公司為南京微盟一級代理商。

審核編輯黃宇

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