隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”，匯聚了海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體先進(jìn)企業(yè)代表，以及科研院校和媒體界的眾多菁英，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，展望未來。華燦光電作為氮化鎵領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者，應(yīng)邀出席了本次大會并發(fā)表了專題演講。現(xiàn)場座無虛席，與會者熱情高漲，映射了第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的繁榮景象。

出席本次大會的是華燦光電股份有限公司氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺博士，他代表華燦光電進(jìn)行了主旨為“GaN 功率器件創(chuàng)新應(yīng)用市場前景分析”的專題分享。他首先介紹道，在手機(jī)、計(jì)算機(jī)的帶動下，GaN快充市場發(fā)揮出巨大的市場營銷能力，尤其以65W-100W為主流。2023年，隨著更多廠商的積極投入，GaN的市場關(guān)注度進(jìn)一步提高，帶動了3C電源、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、光伏儲能等相關(guān)廠家的驗(yàn)證使用。

隨后他指出，GaN目前也處于發(fā)展的萌芽期，仍面臨同質(zhì)襯底生長、可靠性不佳等技術(shù)問題，限制了生產(chǎn)良率和商用化發(fā)展。其中，GaN器件特性由外延結(jié)構(gòu)決定，器件的可靠性則與材料質(zhì)量緊密相關(guān)。目前，GaN襯底仍在開發(fā)中，市場上尚未有成熟的GaN襯底，只能使用硅和藍(lán)寶石等異質(zhì)接面襯底，而這些導(dǎo)致了GaN器件特性不佳。

而自2020年進(jìn)入GaN電力電子領(lǐng)域以來，華燦光電依托其在LED芯片在GaN材料和器件領(lǐng)域的積累，積極展開技術(shù)研究與產(chǎn)品開發(fā)。在自有外延方面，華燦光電于2022年啟動了6英寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)，初步完成650V GaN-on-Si for D-mode＆E-mode的外延片研發(fā)和流片。在器件方面，完成了650V GaN產(chǎn)品的小批量出樣和測試，650V GaN HEMT和demo board出樣。

最后，邱博士還同與會來賓介紹了華燦光電未來的發(fā)展路線。按照計(jì)劃，華燦光電的GaN產(chǎn)品將逐步從650V向900V，再到1200V的路徑發(fā)展，并會規(guī)劃低壓產(chǎn)品以擴(kuò)充產(chǎn)品線。

在場外搭建的華燦光電展臺，也同樣吸引了眾多客戶同仁的駐足咨詢?，F(xiàn)場氣氛熱烈，賓客絡(luò)繹不絕，大家都對華燦光電此次展出的樣品流露出認(rèn)可和興趣。

作為國內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域創(chuàng)新引領(lǐng)者，華燦光電已經(jīng)積累大量的專利技術(shù)和制造經(jīng)驗(yàn)。未來，華燦光電將繼續(xù)深耕第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)，并依托華燦光電浙江第三代半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室和氮化鎵研究院，將提供從芯片設(shè)計(jì)到封裝的一站式代工服務(wù)，擴(kuò)大能效半徑和生態(tài)鏈，賦能更多的終端應(yīng)用市場。
責(zé)任編輯：彭菁