上一期小編對運放的概念做了一個初步的講解，虛斷和虛短的概念大家都掌握了嗎？今天開始，小編將會花費幾期時間，和大家重點介紹運放的關(guān)鍵參數(shù)，這也是大家了解運放并能靈活使用運放的關(guān)鍵，我愿稱之為運放最核心的內(nèi)容。

知彼知己，方能百戰(zhàn)而不殆！

01 輸入失調(diào)電壓

當運放的正輸入端接0電平，且運放設(shè)計為跟隨器電路，此時輸出存在一個非0的電壓，即為運放的輸入失調(diào)電壓Vos，通常在uV~mV之間。

由于實際運放的正負輸入端無法做到絕對平衡，是失調(diào)電壓產(chǎn)生的根因，也無法避免。

如果運放被設(shè)計成Af倍的閉環(huán)增益后，那么輸出就會出現(xiàn)一個Af*Vos的直流電壓，也被稱作輸出失調(diào)電壓，這個值可能就沒辦法忽視了。

如果我們應用場景中的有效信號為直流信號，那么我們需要挑選Vos遠小于被測信號幅度的運放；如果我們關(guān)注的是交流信號，則可以通過電容耦合的方式濾除掉直流偏置。（也需要關(guān)注失調(diào)電壓不能太大，防止交流信號削頂失真）

02 失調(diào)電壓漂移

隨著時間、溫度、供電電壓等參數(shù)變化時，輸入失調(diào)電壓也會跟著變化。輸入失調(diào)電壓和這些參數(shù)變化的比值，成為失調(diào)電壓漂移。

通常情況下，輸入失調(diào)電壓低的運放，其漂移量也較低。

在一些對精度和穩(wěn)定性要求較高的設(shè)計中，失調(diào)電壓漂移的影響往往比初始失調(diào)電壓還要大。因此，需要根據(jù)使用時長、環(huán)境等因素，挑選漂移量較小的運放，保證在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)，總失調(diào)電壓始終處于可控范圍之內(nèi)。

03 輸入偏置電流和失調(diào)電流

由于實際運放的輸入阻抗并不是無窮大，因此正負輸入端均有一個電流流過，我們將電流的平均值定義為輸入偏置電流：Ib=(Ib1+Ib2)/2；將電流的差值定義為輸入失調(diào)電流：Ios=Ib1-Ib2。該指標通常在fA~uA之間。

當我們在做電流檢測的設(shè)計時，過大的偏置電流會分流被測信號，會造成測量誤差；另外，當一輸入端通過電阻接地后，還會在電阻上產(chǎn)生不期望的輸入電壓。

通常FET輸入型運放的偏置電流較小，根據(jù)自己的使用場景進行甄別。同時需要合理配置外部電阻，避免產(chǎn)生較大的輸入壓降。

以上就是本期分享的所有內(nèi)容啦，放大器很難，但也很有趣，小編在大學期間和放大器打交道比較多，工作之后就很少碰到放大器相關(guān)應用了，但一直保留著對放大器的熱愛，也希望各位同學能在這里有所學習。歡迎大家持續(xù)關(guān)注，下一期我們重點介紹運放的噪聲。