簡介

FP6150B是輸入可達36V 的異步降壓型穩(wěn)壓器。內(nèi)置120mΩ內(nèi)阻的高位NMOS，具有出色 的負載和線路調(diào)節(jié)能力，可在寬輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)3A的連續(xù)輸出電流。電流模式工作下提供了快速動態(tài)響應(yīng)和簡化回路的穩(wěn)定性，工作開關(guān)頻率可透過外部電阻設(shè)定。 并具有低壓拴鎖保護、過流保護、過壓保護和過熱保護的功能，穩(wěn)壓器在關(guān)斷模式下僅消耗10μA的 電源電流。FP6150是一款功能齊備，應(yīng)用極為簡單，且只需要少量的外部組件就可完成的降壓型穩(wěn)壓方案。

一、特色說明

?寬輸入工作電壓范圍 4.5V~36V

? 內(nèi)建軟啟動2ms

? VFB 反饋電壓0.808V (±2%)

? 高位NMOS內(nèi)阻120mΩ，輸出電流最高可達3A

? 轉(zhuǎn)換效率可達90%

? 關(guān)機低消耗電流10μA

? 可透過外部電阻調(diào)整工作頻率

? 具有低壓拴鎖保護(UVLO)、過流保護(OCP)、過壓保護(OVP)和過熱保護(OTP)

? 封裝SOP-8L(EP)

二、市場應(yīng)用

1.應(yīng)用范圍

? 車用充電器/適配器

? USB 電源

? 充電器電源

? 平板電視和監(jiān)視器

? 數(shù)字機上盒

? 一般消費性產(chǎn)品

2.應(yīng)用電路

應(yīng)用元件：

? C4、C8：輸入穩(wěn)壓電容，輸入端需加上電解電容防止插拔突波。一般建議使用Low ESR的電

解電容以達最佳特性。在電解電容旁并聯(lián)貼片陶瓷電容 0.1uF，此電容盡可能靠近VIN，以減

少切換開關(guān)時所產(chǎn)生的噪聲。

? C3、C7：輸出穩(wěn)壓電容，主要在保持輸出電壓的平穩(wěn)，使用Low ESR的貼片陶瓷電容或電解

電容可降低輸出的紋波電壓。

? L1：電感具有儲能與濾波功用。選用電感需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。

? D1：當SW關(guān)閉時，D1蕭特基導通提供電感放電回路。

? C1：Bootstrap電容，用來儲能以供給內(nèi)部高位NMOS導通。

? R2、R4：分壓電阻可設(shè)定輸出電壓。

? R3、C10：系統(tǒng)的補償回路，關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定度。

? R7：調(diào)整工作頻率電阻。

布板建議

注意事項:

? 大電流路徑需鋪銅，避免走細線，大電流路徑為輸入進來到VIN Pin，輸入陶瓷電容C6、C8必須靠近VIN Pin，經(jīng)由內(nèi)部高位NMOS再從SW Pin到D1與電感后再到輸出端；GND路徑由輸入電容C4、C6、C8到輸出電容C3、C7的地盡量靠近，避免路徑太長產(chǎn)生的寄生電感太大去干擾到IC。

? SW Pin、D1與電感之間會產(chǎn)生切換訊號，這些元件之間的距離要盡量靠近，并且以鋪銅方式連接，減少寄生電感產(chǎn)生震蕩，可改善EMI。

? 輸入陶瓷電容C6、C8與D1的地盡量靠近，可減少電流回路路徑，降低在切換時產(chǎn)生的接地反彈噪聲。

? 回授電阻R2與R4與IC間的距離越短越好，減少被噪聲干擾的可能。

? IC的散熱片EP連接到GND，所以盡可能加大GND面積，加強散熱效果。

EMI 測試

測試條件：Vin=24V、Vout=5V/3A，靠近D1兩端加RC，R1=1.5Ω / C5=1.5nF；SW到BS的0.1uF加串10Ω，輸入端串L2磁珠(FI321611U601)，頻率200kHz。且輸入電容C8的正端必需靠近VIN Pin、負端必需靠近D1的地。