BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 選型說明
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、TO-252、TO-247等。
3.Q: 我們的MOSFET采用什么工藝？
A：采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間
發(fā)表于 01-26 07:46
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及行業(yè)趨勢四個維度展開分析： 一、技術(shù)適配性：700V耐壓覆蓋高壓平臺需求 車載OBC（On-Board Charger）作為新能源汽車的核心部件，需將交流電轉(zhuǎn)換為直流電為電池充電。隨著800V高壓平臺普及，OBC主電路工作電壓普遍達6
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220V交流轉(zhuǎn)5V/100mA直流設(shè)計的降壓芯片PM1132
（OCP）、過溫保護（OTP），無短路保護需外置保險絲。
典型應(yīng)用電路設(shè)計
前端整流濾波
整流橋：選1A/600V以上（如GBU4J）。
高壓濾波電容：10μF/400V電解電容（降低紋波
發(fā)表于 09-12 09:37
三相隔離變壓器（480V 轉(zhuǎn) 380V/208V/220V）：UL 認證 600V 級干式設(shè)備
在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點——美國本土常見的600V級電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機、208V服務(wù)器、
PFR20200CTF肖特基二極管TO-220F封裝200V20A
等。
PFR20200CT 封裝：TO-220AB
PFR20200CTF 封裝：TO-220F
PFR20200CTI 封裝：TO-262
PFR20200CTB 封裝 ：T0-263
PFR20200CTF肖特基二極管
發(fā)表于 08-20 14:53
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護。我們的650V
KP85302SGA 650V集成自舉二極管的半橋柵極驅(qū)動器核心設(shè)計
產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負壓免疫
650V開關(guān)節(jié)點耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應(yīng)對電機反電動勢和MOSFET開關(guān)尖峰
-7V VS負壓承受 ：消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負壓擊穿
發(fā)表于 06-25 08:34
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
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P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
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