上海伯東客戶某高校使用國產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致薄膜質(zhì)量低的情況. 客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時間不低于 48個小時, 經(jīng)過伯東推薦最終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產(chǎn)離子源, 單次工藝時間可以達(dá)到數(shù)百小時, 完全符合客戶長時間鍍膜的工藝要求, 維持高穩(wěn)定離子束濺射工藝獲得高品質(zhì)薄膜.

上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據(jù)客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產(chǎn)離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設(shè)備: 國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 )

上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術(shù)規(guī)格:
小尺寸設(shè)計但是可以輸出 >400 mA 離子流.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.

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