功率MOS場效應晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。直流參數(shù)包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態(tài)漏源導通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導gfs等;交流參數(shù)包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開關時間ton、ts、tf等；極限參數(shù)包括：連續(xù)電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場效應晶體管的設計任務就是根據(jù)用戶使用要求，確定主要電學參數(shù)指標，設計出滿足參數(shù)指標要求的縱向參數(shù)、橫向參數(shù)和熱學參數(shù)。

功率MOS場效應晶體管在實際設計過程中，主要從以下幾個方面進行設計：功率MOS場效應晶體管的結(jié)構(gòu)設計、功率MOS場效應晶體管的主要電參數(shù)設計、功率MOS場效應晶體管的工藝設計以及功率MOS場效應晶體管的零部件設計。

由產(chǎn)品電參數(shù)指標可知，該產(chǎn)品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強等特點。產(chǎn)品具有電壓控制、快開關速度、易并聯(lián)以及電參數(shù)溫度穩(wěn)定性高。非常適合應用于開關電源、馬達驅(qū)動、逆變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產(chǎn)品電參數(shù)指標（25℃）

VDMOS的版圖制造過程可以分為八個步驟，版次內(nèi)容: （1）P+版圖；（2）柵氧化層版圖；（3）多晶硅區(qū)版圖；（4）截止環(huán)版圖；（5）N＋版圖；（6）孔版圖；（7）鋁版圖；（8）鈍化版圖。

圖1 P+版圖 圖2 N＋版圖

圖3 孔版圖 圖4 鋁版圖

圖5 芯片角版圖