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“IC Future 2023”年度芯勢力產(chǎn)品獎(jiǎng)和年度芯生力企業(yè)獎(jiǎng)，是由世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)特別設(shè)立的行業(yè)榮譽(yù)，旨在集中展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有技術(shù)代表性、標(biāo)志性、里程碑式的創(chuàng)新產(chǎn)品及技術(shù)，同時(shí)對產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新的先鋒企業(yè)進(jìn)行表彰，樹立引領(lǐng)風(fēng)向的行業(yè)標(biāo)桿，發(fā)揮示范效應(yīng)，從而為廣大用戶提供商貿(mào)對接、技術(shù)升級、產(chǎn)品選購的決策指導(dǎo)。

作為超可靠的存儲(chǔ)創(chuàng)新解決方案商，康盈半導(dǎo)體入圍“ IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎(jiǎng)” 評選，角逐“IC Future 2023”年度芯勢力產(chǎn)品獎(jiǎng)。

現(xiàn) IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎(jiǎng)” 評選活動(dòng)已開啟，投票通道已正式開通！特邀您為康盈半導(dǎo)體投下珍貴的一票！

入圍產(chǎn)品：智慧物聯(lián)核芯小精靈

KOWIN nMCP嵌入式存儲(chǔ)芯片

智慧物聯(lián)核芯小精靈一KOWIN nMCP 嵌入式存儲(chǔ)芯片，采用先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和領(lǐng)先的晶圓封測技術(shù)，包括晶圓研磨，疊層和引線鍵合技術(shù)等，極大程度地降低了存儲(chǔ)芯片的厚度，厚度僅為 0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可減少系統(tǒng) PCB 設(shè)計(jì)開發(fā)時(shí)間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb 和 8Gb+4Gb，滿足多種容量組合需求。該系列芯片中 NAND 電壓 1.8V，DRAM 電壓為1.8V/1.1V/0.6V，符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)且低功耗，可兼容各大主流平臺。LPDDR4X 傳輸速率高達(dá)4,266Mbps，性能優(yōu)異，提高系統(tǒng)運(yùn)行的流暢性。產(chǎn)品均通過嚴(yán)格的可靠性測試，有效保障數(shù)據(jù)信息安全和持久性，可滿足產(chǎn)品的 5W 次壽命擦除和 10 年數(shù)據(jù)保持能力要求。同時(shí) nMCP 系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時(shí)、壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)模塊、通信模塊等領(lǐng)域。

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康盈半導(dǎo)體，超可靠存儲(chǔ)創(chuàng)新解決方案商！

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原文標(biāo)題：康盈半導(dǎo)體入圍 “ IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎(jiǎng) ” 評選，特邀您投票助力！

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