（電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）7月20日，在南京舉辦的2023世界半導(dǎo)體大會上，中國工程院院士、中國科學(xué)院計算技術(shù)研究員倪光南指出，全球各國加快制定國家數(shù)據(jù)戰(zhàn)略，存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)成為共同關(guān)注的焦點。

圖：倪光南院士談中國數(shù)據(jù)量到2025年成為全球第一

據(jù)悉，美國國防部在2022年2月更新《關(guān)鍵和新興技術(shù)清單》，在14個關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域中明確了數(shù)據(jù)存儲作為關(guān)鍵技術(shù)，為美國技術(shù)競爭力和國家安全的戰(zhàn)略方案制定提供依據(jù)。美國5年內(nèi)撥款1110億美元用于基礎(chǔ)和先進技術(shù)研究，覆蓋10大關(guān)鍵技術(shù)，包括人工智能、機器學(xué)習(xí)和其他先進軟件開發(fā)；高性能計算，半導(dǎo)體和先進計算機硬件；量子計算和信息系統(tǒng)；機器自動化與先進制造；先進通信技術(shù)；生物技術(shù)、醫(yī)療技術(shù)、基因組學(xué)和合成生物學(xué)；網(wǎng)絡(luò)安全、數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理技術(shù)；先進能源，電池和工業(yè)能效；先進材料科學(xué)、工程學(xué)和其他重點領(lǐng)域；自然和人為災(zāi)害防御。

中國數(shù)據(jù)存儲市場現(xiàn)狀和未來市場規(guī)模

據(jù)前瞻經(jīng)濟學(xué)人統(tǒng)計，2018年中國數(shù)據(jù)生產(chǎn)量達到7.6ZB，美國達到6.9ZB，差異不大，到了2025年，中國數(shù)據(jù)生產(chǎn)量預(yù)計將達到48.6ZB，美國預(yù)測為30.6ZB，中國數(shù)據(jù)規(guī)模遠遠超過美國，成為世界第一數(shù)據(jù)大國。2018年到2025年中國數(shù)據(jù)量年復(fù)合增長率達到30%，未來我國數(shù)據(jù)存儲市場將快速增長。

倪光南院士表示，目前人均數(shù)據(jù)存儲量目前中國1/8，按人均來看中國的數(shù)據(jù)存儲只有美國的1/8的水平，他認(rèn)為中國數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)大有可為。但是他指出，目前中國算力中心的存力相對不足，存在重算力輕存力的傾向。存力是數(shù)據(jù)中心在數(shù)據(jù)存儲容量、性能表現(xiàn)、安全可靠和綠色低碳四大方面的綜合能力，在數(shù)字經(jīng)濟背景下，存力是支撐大數(shù)據(jù)時代的關(guān)鍵指標(biāo)。

半導(dǎo)體技術(shù)更新迭代，SSD取代HDD時代到來

倪光南院士指出，中國數(shù)據(jù)存儲市場快速增長，但先進半導(dǎo)體存儲技術(shù)滯后。在新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)革命，一項重大的技術(shù)變革正在發(fā)生，即新興存儲代替?zhèn)鹘y(tǒng)存儲的趨勢到來，SSD取代HDD。

據(jù)悉，固態(tài)硬盤SSD與機械硬盤HDD在性能上的比較主要有三大方面優(yōu)勢。1、固態(tài)硬盤 (SSD)，包括嵌入式閃存驅(qū)動器，已經(jīng)變得越來越普及。由于沒有活動部件，此類硬盤可以比 HDD 更快地讀取、寫入和訪問數(shù)據(jù)。SATA 3.0 SSD的順序讀取速度可達560MB/s，順序?qū)懭胨俣瓤蛇_520MB/s；SATA 3.0 SSD的順序讀取速度可達560MB/s，順序?qū)懭胨俣瓤蛇_520MB/s；機械硬盤HDD的順序讀取速度極限約200M/s，寫入速度則很難突破100M/s。2、固態(tài)硬盤SSD的單位容量的價格比HDD要貴，隨著固態(tài)硬盤閃存NAND閃存芯片技術(shù)的發(fā)展，NAND閃存密度越來越大，成本逐漸下降。3、在便攜性和意外跌落方面，SSD 比 HDD 更耐用。一些加固型 SSD（如My Passport SSD）可以承受高達 1.98 米的跌落（跌落到鋪有地毯的表面上），而 HDD 設(shè)備在遇到同樣高度的跌落時卻可能會損壞。

中國存儲產(chǎn)業(yè)經(jīng)過近十多年發(fā)展，在產(chǎn)業(yè)鏈中上游，長江存儲的NAND Flash和長鑫存儲的DRAM芯片已經(jīng)達到全球主流的水平和生產(chǎn)能力；在SSD主控芯片市場，國內(nèi)已經(jīng)有十幾家廠商的產(chǎn)品得到商用，產(chǎn)品能力與國外主流廠商持平。此外，在生產(chǎn)NAND Flash存儲芯片的核心設(shè)備是刻蝕機，中微公司的刻蝕機已經(jīng)突破5nm工藝，達到國際領(lǐng)先水平，生產(chǎn)SSD主控芯片和DRAM的***工藝，都不需求用到EUV***，所以芯片生產(chǎn)和裝備基本上不會被卡脖子。

在產(chǎn)業(yè)鏈中游，中國存儲整機的核心能力和競爭力構(gòu)筑在自主的核心存儲芯片、系統(tǒng)架構(gòu)和軟件之上，全球排名前三的企業(yè)，華為存儲名列第二（僅次于DellEMC），并且進入國外金融等關(guān)鍵行業(yè)市場。目前國產(chǎn)品牌廠商在國內(nèi)市場占比達到85%，在全球市場份額占比20%。中國新型存儲產(chǎn)業(yè)在實現(xiàn)國產(chǎn)化的情況下，已經(jīng)具備了國際競爭力。

倪光南院士對存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出了五大建議：一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展，標(biāo)準(zhǔn)先行。為促進產(chǎn)業(yè)更好的發(fā)展，以“行標(biāo)”或“團標(biāo)”的方式，應(yīng)發(fā)布“算力中心建設(shè)指南”，提出“算力”和存力的適當(dāng)比率范圍，提出“算力”中心采用SSD的適當(dāng)比例范圍；二、政策引導(dǎo)，力推SSD取代HDD。包括存儲設(shè)備的政府采購、招標(biāo)等項目中，應(yīng)該優(yōu)選支持SSD，不得以單一價格指標(biāo)作為評標(biāo)依據(jù)；重要的基礎(chǔ)設(shè)施的存儲設(shè)備，政府應(yīng)政策引導(dǎo)，指定采用國產(chǎn)SSD以促進國產(chǎn)SSD的產(chǎn)業(yè)發(fā)展；三、安全評測，公平公正；四、重視高校存儲產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)，千秋大業(yè)，人才為先；五、集聚產(chǎn)業(yè)，協(xié)同攻關(guān)。建議將存儲列入信創(chuàng)范圍，與上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同促進國產(chǎn)信息技術(shù)生態(tài)發(fā)展。

本文為電子發(fā)燒友原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請注明來源。作者微信號zy1052625525，需入群交流，請加群elecfans999。投稿爆料采訪需求，請發(fā)郵箱zhangying@huaqiu.om。