在選購(gòu)無(wú)源晶振時(shí)，經(jīng)常會(huì)被問(wèn)到：“您需要多少pF的晶振?” 這里的pF是無(wú)源晶振負(fù)載電容值的單位。電容的大小影響無(wú)源晶振的起振時(shí)間、頻率穩(wěn)定度等。

不同于振蕩器，諧振器需要匹配外部諧振電路才可以輸出信號(hào)，自身無(wú)法振蕩。在選擇晶體的負(fù)載電容時(shí)，我們要盡量權(quán)衡能量損耗和頻率的穩(wěn)定性。同一封裝尺寸的晶體，負(fù)載越小，能耗越低。

常用的負(fù)載電容

無(wú)源晶振常用的負(fù)載電容：

kHz晶體：6，7，9，12.5pF

MHz晶體：8，9，12，15，18，20pF

根據(jù)負(fù)載電容選擇匹配電容C1和C2, 通常C1=C2:

當(dāng)負(fù)載電容CL=12.5pF，建議外接電容C1=C2=15~18pF

當(dāng)負(fù)載電容CL=9pF，建議外接電容C1=C2=12pF

Cstray

雜散電容Cstray的值一般為4~6pF。雜散電容可能對(duì)無(wú)源晶振的輸出頻率精度及穩(wěn)定性造成不確定性影響。一般情況下，雜散電容會(huì)因電路板的復(fù)雜程度及/或布線設(shè)計(jì)的不合理性而增加。

負(fù)載電容值大小的影響

如果負(fù)載電容CL很大，靜態(tài)電容C0的改變對(duì)頻率變化的影響很小，頻率更加穩(wěn)定。所以負(fù)載高，遠(yuǎn)端相位噪聲好；若數(shù)過(guò)大，則很難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，晶振不容易起振。

相反，如果負(fù)載電容CL很小，靜電容C0的微小變化會(huì)造成頻率的明顯變化。近端相位噪聲好，容易調(diào)整頻率，晶振容易起振。

選擇KOAN晶振的原因

KOAN晶振公司配備了E5052B信號(hào)分析儀器(測(cè)量相位噪聲和抖動(dòng))、S&A280B、S&A250B測(cè)試儀器，以及高低溫箱，抗沖擊試驗(yàn)設(shè)備。我們能夠檢測(cè)在溫度、負(fù)載和功率電壓變化條件下的頻率穩(wěn)定性。




審核編輯：劉清