在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過程中，判斷產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)劣，以及能否能持續(xù)使用是非常重要的。老化失效就是電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)出廠檢驗(yàn)中重要的一步，它直接關(guān)系到產(chǎn)品能否出廠供給客戶使用。大多數(shù)產(chǎn)品的老化過程都有嚴(yán)格的規(guī)定，需要對產(chǎn)品的各項(xiàng)指標(biāo)有詳細(xì)的記錄，而由于老化的周期一般都比較長，這其中的原始數(shù)據(jù)需要保證隨時能夠查詢并保證掉電不丟失。因此選擇數(shù)據(jù)存儲器非常重要。

國產(chǎn)鐵電存儲器（FRAM）的特性及優(yōu)點(diǎn)：

1、PB85RS2MC配置為16,384×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，有效提高數(shù)據(jù)的安全性。

2、采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設(shè)計(jì)空間，便于布局；

3、任何扇區(qū)編程擦除周期典型值達(dá)100萬次，數(shù)據(jù)保留年限典型值25年，可充分滿足產(chǎn)品可靠性要求；

4、最大功耗為5mA，最大待機(jī)電流僅僅10μA，可有效降低功耗，延長檢測儀電池使用時間；

5、PB85RS2MC支持SPI串行接口，最大25MHz工作頻率，可滿足主控芯片快速通信需求；

6、PB85RS2MC的工作電壓為2.7V至3.6V，待機(jī)功耗僅有7μA，完全滿足系統(tǒng)低功耗需求，而且工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，在更多場景下使用也能保證數(shù)據(jù)讀寫的的穩(wěn)定性。

7、兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）

PB85RS2MC引腳對標(biāo)：

PB85RS2MC產(chǎn)品框圖：

綜上所述：利用鐵電存儲器的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可獲取更加清晰可靠的數(shù)據(jù)，通過對采集數(shù)據(jù)進(jìn)行識別、比較，可以大大減少生產(chǎn)測試環(huán)節(jié)，縮短研發(fā)與生產(chǎn)時間，提高生產(chǎn)效率。

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