chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

在助聽器中使用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可減少電路噪音

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-08-15 10:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

目前,很多助聽器制造商正在考慮在助聽器中使用鐵電存儲(chǔ)器,由于現(xiàn)在的很多助聽器可以根據(jù)每個(gè)人的使用情況進(jìn)行調(diào)整,以達(dá)到最優(yōu)的性能。制造商用一個(gè)記錄系統(tǒng)來登記這些信息,正在考慮用鐵電存儲(chǔ)器作為記錄用存儲(chǔ)器。

傳統(tǒng)的助聽器通常使用EEPROM來記錄信息,但是鐵電存儲(chǔ)器可以更快地寫入數(shù)據(jù),且耗能更少。例如,以同樣的頻率寫入64字節(jié)的數(shù)據(jù),鐵電存儲(chǔ)器的寫入速度比EEPROM快20倍,功耗只有后者的1/140, 這意味著更換電池的頻率更低。

鐵電存儲(chǔ)器另一個(gè)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)就是能夠減少存儲(chǔ)器在寫入數(shù)據(jù)時(shí)的噪聲。EEPROM要使用內(nèi)部的10V的高電壓來擦除和在存儲(chǔ)器中寫入數(shù)據(jù)。在寫入時(shí),這個(gè)高供電電壓會(huì)在電路中產(chǎn)生噪聲,會(huì)轉(zhuǎn)換成助聽器使用者可以聽到的重復(fù)噪聲。如果使用鐵電存儲(chǔ)器,就不需要高電壓來擦除和寫入數(shù)據(jù),這個(gè)問題迎刃而解。

拍字節(jié)2M.png

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的應(yīng)用特點(diǎn)如下:

1、PB85RS2MC配置為16,384×8位,通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元,和SRAM不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù),有效提高數(shù)據(jù)的安全性。

2、PB85RS2MC采用SOP8小封裝,可以節(jié)省助聽器PCB板設(shè)計(jì)空間,便于布局;

3、PB85RS2MC任何扇區(qū)編程擦除周期典型值達(dá)100萬次,數(shù)據(jù)保留年限典型值25年,可充分滿足產(chǎn)品可靠性要求;

4、PB85RS2MC最大功耗為5mA,最大待機(jī)電流僅僅10μA,可有效降低功耗,延長(zhǎng)檢測(cè)儀電池使用時(shí)間;

5、PB85RS2MC支持SPI串行接口,最大25MHz工作頻率,可滿足主控芯片快速通信需求;

6、PB85RS2MC的工作電壓為2.7V至3.6V,待機(jī)功耗僅有7μA,完全滿足系統(tǒng)低功耗需求,而且工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃,在更多場(chǎng)景下使用也能保證數(shù)據(jù)讀寫的的穩(wěn)定性。

7、PB85RS2MC兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯),且PB85RS2MC價(jià)格有一定的優(yōu)勢(shì)。

舜銘存儲(chǔ)選型.png

注:如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6086

    瀏覽量

    178800
  • 助聽器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    209

    瀏覽量

    41708
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7753

    瀏覽量

    172149
  • 國芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1184

    瀏覽量

    2459
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    技術(shù)解析|MB85RS256B FRAM 工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方案

    富士通 MB85RS256B 高性能 FRAM,憑借 256Kbit 容量、SPI 接口及高耐久性、零延遲、真非易失性、工業(yè)級(jí)寬溫等優(yōu)勢(shì),解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)痛點(diǎn),集成簡(jiǎn)便,優(yōu)化工業(yè)傳感數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 04-15 11:42 ?79次閱讀
    技術(shù)解析|MB<b class='flag-5'>85RS</b>256B FRAM 工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>方案

    深入解析Freescale MC9RS08KA2系列微控制

    深入解析Freescale MC9RS08KA2系列微控制 電子工程領(lǐng)域,微控制的性能和特性對(duì)于產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和開發(fā)至關(guān)重要。Freescale的
    的頭像 發(fā)表于 04-10 12:15 ?225次閱讀

    探索FM25V10 1-Mbit Serial (SPI) F-RAM:高性能非易失性存儲(chǔ)器解決方案

    FM25V10是一款采用先進(jìn)電工藝的1-Mbit非易失性存儲(chǔ)器,邏輯上組織為128K × 8。它結(jié)合了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)的
    的頭像 發(fā)表于 03-29 14:40 ?131次閱讀

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器的卓越之選

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機(jī)存儲(chǔ)器的卓越之選 各類電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器的性能直接影響著設(shè)備的運(yùn)行效率和數(shù)據(jù)安全性。
    的頭像 發(fā)表于 03-29 12:00 ?281次閱讀

    PG-1000脈沖發(fā)生非易失性存儲(chǔ)器(NVM)及MOSFET測(cè)試的應(yīng)用

    科技分享的關(guān)于PG-1000脈沖發(fā)生非易失性存儲(chǔ)器(NVM)及MOSFET測(cè)試的應(yīng)用,如果了解Active Technologies的PG-1000脈沖發(fā)生更多相關(guān)應(yīng)用歡迎留言討
    發(fā)表于 03-09 14:40

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?406次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    國產(chǎn)芯片偽SRAM存儲(chǔ)器psram

    偽SRAM本質(zhì)上是一種經(jīng)過優(yōu)化的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),其核心技術(shù)在于通過內(nèi)置的控制邏輯電路,模擬傳統(tǒng)SRAM的接口時(shí)序,從而在使用上具備SRAM的簡(jiǎn)便性。用戶無需關(guān)心內(nèi)部復(fù)雜的刷新
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:23 ?117次閱讀

    安泰ATA-7000系列高壓放大器:解鎖材料潛能的核心科技引擎

    功能材料與電子器件的創(chuàng)新浪潮中,材料以其獨(dú)特的自發(fā)極化特性,成為存儲(chǔ)器、傳感、能量轉(zhuǎn)換等尖端領(lǐng)域的核心支撐。從柔性電子設(shè)備到低功耗芯
    的頭像 發(fā)表于 01-19 15:18 ?269次閱讀
    安泰ATA-7000系列高壓放大器:解鎖<b class='flag-5'>鐵</b><b class='flag-5'>電</b>材料潛能的核心科技引擎

    深入解析MC14538B:雙精度重觸發(fā)/復(fù)位單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩

    深入解析MC14538B:雙精度重觸發(fā)/復(fù)位單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩 電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:30 ?431次閱讀

    存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積的銅鑼新廠成了國際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能,雙方已敲定三種合作方向,只待力
    的頭像 發(fā)表于 12-22 11:43 ?3105次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積<b class='flag-5'>電</b>成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    深入解析 MC14538B 雙精度重觸發(fā)/復(fù)位單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩

    深入解析 MC14538B 雙精度重觸發(fā)/復(fù)位單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩 電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩
    的頭像 發(fā)表于 12-17 16:15 ?639次閱讀

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?758次閱讀

    PY32F003國產(chǎn)單片機(jī)、外設(shè)豐富、高性價(jià)比的國產(chǎn)替代方案

    ,工作頻率高達(dá) 32MHz。片內(nèi)集成64KByte Flash 和 8KByte SRAM存儲(chǔ)器。PY32F003有著豐富的外設(shè)接口:多路USART、SPI、I2C,5個(gè)16 位定時(shí),1個(gè)12位
    發(fā)表于 08-21 11:50

    安泰電子:高壓放大器材料極化測(cè)試中有什么作用

    材料以其獨(dú)特的自發(fā)極化特性及滯回線行為,存儲(chǔ)器、傳感、換能器及微波器件中扮演著核心角色
    的頭像 發(fā)表于 06-11 15:31 ?655次閱讀
    安泰電子:高壓放大器<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>鐵</b><b class='flag-5'>電</b>材料極化測(cè)試中有什么作用

    多軸控制可使用國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)

    多軸控制可使用國產(chǎn)存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 09:47 ?873次閱讀
    多軸控制<b class='flag-5'>器</b>可使用<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>鐵</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>SF25C20(MB<b class='flag-5'>85RS2</b>MT)