在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組

此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ)

隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴展，三星將持續(xù)為AI，下一代計算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持

2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。

這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。

三星電子存儲器事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示：

在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時代對于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求。我們將通過差異化的工藝與設(shè)計技術(shù)，繼續(xù)研發(fā)內(nèi)存解決方案，以突破內(nèi)存技術(shù)的瓶頸。

三星自1983年開發(fā)出首款64千比特（Kb）的內(nèi)存以來，在過去的40年間將內(nèi)存容量提高了50萬倍。最新開發(fā)的32Gb DDR5內(nèi)存顆粒，采用前沿的工藝技術(shù)，提高了集成密度并優(yōu)化了封裝設(shè)計，與DDR5 16Gb顆粒相比，在相同封裝尺寸情況下，三星單片DRAM內(nèi)存顆粒容量翻倍。

尤其是，過去使用16Gb內(nèi)存顆粒制造的DDR5 128GB內(nèi)存模組需要采用硅通孔(TSV)工藝。而現(xiàn)在，通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組。與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。

以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ)，三星計劃繼續(xù)擴充大容量內(nèi)存產(chǎn)品陣容，以滿足高性能計算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。通過向數(shù)據(jù)中心，以及采用人工智能和下一代計算等應(yīng)用的客戶提供12納米級的32Gb內(nèi)存，三星希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場的前沿地位。未來，該產(chǎn)品還將在三星與其他核心行業(yè)伙伴的長期合作中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產(chǎn)。

審核編輯：劉清