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金泰克超頻DDR5 SODIMM 內(nèi)存強(qiáng)勢登場,可穩(wěn)定超頻至6400MT/s

時光流逝最終成了回憶 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:電子發(fā)燒友 ? 2023-09-07 09:50 ? 次閱讀
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泰克在存儲領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破,致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗。9月6日,金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市,該內(nèi)存基頻為5600MT/s,容量為16GB,并支持Intel XMP3.0,可一鍵超頻至6400MT/s,充分釋放內(nèi)存出色性能。

該款內(nèi)存采用小巧的SODIMM規(guī)格,尺寸僅為69.6x30x1.2mm,主要應(yīng)用于高端游戲本,同時也適用普通筆記本、一體機(jī)、迷你主機(jī)等,可廣泛應(yīng)用于5G、大數(shù)據(jù)等對性能極為重視的行業(yè)領(lǐng)域。


據(jù)了解,日前聯(lián)想“拯救者Y9000K 2023”旗艦游戲本在海外市場重磅發(fā)布,專為圖形工作需求繁重的游戲玩家和創(chuàng)作者設(shè)計,重新定義了游戲筆記本電腦的奢華標(biāo)準(zhǔn),金泰克該款新品內(nèi)存條正是其核心配置之一。

該款內(nèi)存是業(yè)內(nèi)第一個通過聯(lián)想認(rèn)證的DDR5 OC(超頻)產(chǎn)品,并通過Memtest、3DMark、Burnin等聯(lián)想嚴(yán)格的性能測試和可靠性測試、環(huán)保(RoHS、REACH和EMC等)相關(guān)認(rèn)證測試。


全新架構(gòu) 高能體驗

新一代DDR5內(nèi)存,全新內(nèi)置雙通道架構(gòu)設(shè)計,精選高品質(zhì)超頻顆粒,低延遲、高速度,顯著提升電腦整體性能,可支持多任務(wù)同時運(yùn)行。其快速的加載、傳輸、下載能力,能輕松應(yīng)對各種游戲、辦公、視頻剪輯、設(shè)計渲染等需求。支持Intel XMP3.0一鍵超頻技術(shù),超頻至6400MT/s時,內(nèi)存讀取速度為98955MB/s,寫入速度為82176MB/s,復(fù)制速度為87005MB/s,釋放新一代DDR5強(qiáng)大性能,盡享高能疾速體驗。

性能測試數(shù)據(jù)圖


高頻低耗 續(xù)航強(qiáng)勁

全新PMIC電源架構(gòu),將電源集成于內(nèi)存模組,通過協(xié)議配置,調(diào)節(jié)電壓、電源紋波、上下電時序,降低功耗增強(qiáng)設(shè)備續(xù)航力,有助于保持信號完整性和兼容性,提升持續(xù)高強(qiáng)度工作的穩(wěn)定性與流暢性。


自帶ECC糾錯 運(yùn)行更穩(wěn)定

金泰克DDR5 SODIMM在On-Die ECC片內(nèi)糾錯功能的加持下,能有效檢查和糾正內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯誤,確保內(nèi)存運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性,為用戶提供卓越性能表現(xiàn)和良好使用體驗。



自研高速PCB板 海量數(shù)據(jù)秒傳輸

為充分發(fā)揮產(chǎn)品性能,金泰克采用自主研發(fā)的高速PCB板來適配DDR5高頻顆粒,以提升電氣性能及信號完整性。通過表面化金工藝,確保產(chǎn)品具備優(yōu)良的抗氧化性和抗干擾性,為內(nèi)存提供更高速且穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸處理能力。


金泰克憑借強(qiáng)大的創(chuàng)新能力和技術(shù)實力,相繼推出多款DDR5先鋒產(chǎn)品,金泰克超頻DDR5 SODIMM的成功發(fā)布進(jìn)一步完備了其DDR5產(chǎn)品矩陣,全力推動高端化存儲發(fā)展。

面對日新月異的數(shù)字化時代,唯有主動擁抱變革和挑戰(zhàn),深耕專業(yè)領(lǐng)域,堅持技術(shù)創(chuàng)新,方能行穩(wěn)致遠(yuǎn)。這也是金泰克所孜孜追尋的。

* 文章中測試數(shù)據(jù)來源于金泰克實驗室,實際使用因設(shè)備等因素而不同。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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