意法半導(dǎo)體推出新系列IGBT晶體管
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉(zhuǎn)換能效，相關(guān)參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓 Vce(sat)很低，確保器件在導(dǎo)通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關(guān)斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關(guān)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設(shè)備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。
此外， Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應(yīng)，器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡化設(shè)計(jì)，并輕松并聯(lián)多個 IGBT管，以滿足高功率應(yīng)用需求。
該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 長引線功率封裝。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
意法半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3406瀏覽量
111982 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1291文章
4452瀏覽量
264346 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10439瀏覽量
148585
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明歷史
1947年12月16 日美國貝爾(Bell)實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen(1908-1991)和W,Brattain(1902一1987)研究成功一種嶄新的電子器件----半導(dǎo)體晶體管。
意法半導(dǎo)體推出支持新一代無線標(biāo)準(zhǔn)的超寬帶芯片ST64UWB系列
意法半導(dǎo)體（ST）推出一系列全面支持新一代無線標(biāo)準(zhǔn)的追蹤定位距離達(dá)數(shù)百米的超寬帶（UWB）芯片。新系列
意法半導(dǎo)體推出氮化鎵功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6
意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功
意法半導(dǎo)體完成NXP MEMS業(yè)務(wù)收購以擴(kuò)展全球傳感器能力
???????? 2026年2月2日，意法半導(dǎo)體宣布完成了對恩智浦半導(dǎo)體MEMS傳感器業(yè)務(wù)的收購。該交易于2025年7月宣布，現(xiàn)已獲得監(jiān)管機(jī)構(gòu)的全面批準(zhǔn)，聚焦于汽車安全及非安全產(chǎn)品以及
意法半導(dǎo)體推出65W QFN封裝反激轉(zhuǎn)換器VIPerGaN65W
???????? 意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列轉(zhuǎn)換器新增一款65W反激功率轉(zhuǎn)換器VIPerGaN65W。該系列產(chǎn)品在一個QFN 5x6封裝
意法半導(dǎo)體電流檢測放大器實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測量解決方案
意法半導(dǎo)體的電流檢測放大器能夠以極小的誤差測量分流電阻上的微小電壓降，并為許多工業(yè)和汽車應(yīng)用提供卓越的性能。意法
意法半導(dǎo)體與法國TSE簽署15年太陽能供電協(xié)議
近日，意法半導(dǎo)體(ST)簽署一項(xiàng)實(shí)體購電協(xié)議(PPA)，由TSE向意法半導(dǎo)體法國工廠供應(yīng)太陽能發(fā)
意法半導(dǎo)體50W GaN反激式轉(zhuǎn)換器簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)
????????意法半導(dǎo)體推出一系列GaN反激式轉(zhuǎn)換器，幫助開發(fā)者輕松研發(fā)和生產(chǎn)體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新
意法半導(dǎo)體KNX培訓(xùn)中心首期課程圓滿結(jié)束
今年6月，備受期待的意法半導(dǎo)體KNX培訓(xùn)中心首期課程在深圳TCL意法半導(dǎo)體辦公室成功舉辦。該中心
意法半導(dǎo)體推出EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
Nexperia推出采用銅夾片封裝的雙極性晶體管
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性
意法半導(dǎo)體推出先進(jìn)的 1600 V IGBT，面向高性價比節(jié)能家電市場
家電應(yīng)用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結(jié)溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴(yán)苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運(yùn)行。 ? 作為STPOWER產(chǎn)品組合，這是意法半導(dǎo)體第二代
現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
發(fā)表于 07-12 16:18
意法半導(dǎo)體與新加坡能源集團(tuán)共同開發(fā)新型雙溫冷卻系統(tǒng)
意法半導(dǎo)體（簡稱ST）委托新加坡能源公司（SP集團(tuán)）升級意法半導(dǎo)體大巴窯工廠的冷卻基礎(chǔ)設(shè)施。大巴
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
評論