chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么晶閘管不能用門極負(fù)信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流,而GTO卻可以?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-13 17:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

為什么晶閘管不能用門極負(fù)信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流,而GTO卻可以?

晶閘管和GTO都是半導(dǎo)體器件,用于控制電路中的電流流動(dòng)。盡管它們具有相似的工作原理,但由于它們的結(jié)構(gòu)和性能的不同,導(dǎo)致它們的控制方式不同。在本文中,我們將探討晶閘管不能用門極負(fù)信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流的原因,同時(shí)分析GTO為什么可以實(shí)現(xiàn)這一功能。

首先,讓我們了解晶閘管的工作原理。晶閘管存在一個(gè)PNP結(jié)構(gòu)和NPN結(jié)構(gòu)之間,通過(guò)PNP結(jié)構(gòu)的耳機(jī)注入一個(gè)觸發(fā)脈沖時(shí),會(huì)導(dǎo)致NPN結(jié)構(gòu)形成一個(gè)電流通道,從而維持晶閘管的導(dǎo)通狀態(tài)。因此,晶閘管是一個(gè)具有雙向?qū)ǖ钠骷?。?dāng)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),只有在陽(yáng)極電流低于一定閾值時(shí),才能通過(guò)減小控制信號(hào)來(lái)關(guān)閉器件。

晶閘管的關(guān)斷方式主要有兩種:一種是陽(yáng)極電流降至路徑的谷值以下;另一種是通過(guò)向晶閘管的門極注入一個(gè)陽(yáng)極電流處于低電平狀態(tài)的觸發(fā)脈沖來(lái)實(shí)現(xiàn)。這兩種關(guān)斷方式都需要控制電路提供正極性脈沖,因?yàn)楫?dāng)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),只有經(jīng)過(guò)正極性脈沖才能實(shí)現(xiàn)關(guān)斷。而在晶閘管的控制電路中,只有一個(gè)端口可以輸入正極性的電信號(hào),這意味著晶閘管不能用門極負(fù)信號(hào)關(guān)斷陽(yáng)極電流。

那么,為什么不能用負(fù)信號(hào)關(guān)閉晶閘管呢?原因在于PNP結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電特性。當(dāng)一個(gè)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),由于PNP結(jié)構(gòu)的存在,即使向門極施加了負(fù)電壓,晶閘管仍然可以導(dǎo)通。由于晶閘管的PNP結(jié)構(gòu)具有非常高的耐壓能力,使得晶閘管在灌注瞬間就開始導(dǎo)通。因此,當(dāng)導(dǎo)通信號(hào)被打開時(shí),在晶閘管中產(chǎn)生的導(dǎo)通電流會(huì)迅速增加,直到它達(dá)到器件的最大限制電流,這通常會(huì)導(dǎo)致器件損壞。

接下來(lái),我們將介紹GTO的工作原理和其與晶閘管不同的部分。與晶閘管不同的是,在GTO中,雖然也存在一個(gè)PNP結(jié)構(gòu)和NPN結(jié)構(gòu)之間,但這兩個(gè)結(jié)構(gòu)之間的耐壓能力非常弱,這意味著GTO可以被逆偏施加的小電壓關(guān)閉,從而實(shí)現(xiàn)了用負(fù)信號(hào)關(guān)閉陽(yáng)極電流的功能。

與晶閘管不同,GTO具有一種稱為“谷極驅(qū)動(dòng)”的控制方法。此方法在GTO的PNP結(jié)構(gòu)和NPN結(jié)構(gòu)之間引入了一個(gè)接近于停滯的狀態(tài),使得GTO可以更容易地關(guān)閉。當(dāng)GTO處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),當(dāng)降低門極電流時(shí),GTO不會(huì)停止導(dǎo)通,而是降低導(dǎo)通電流,直到電流達(dá)到設(shè)定值以關(guān)閉GTO。這種方法使GTO更容易關(guān)閉,而且可以通過(guò)使用負(fù)極性脈沖實(shí)現(xiàn)。

總之,雖然晶閘管和GTO都可以用于控制電路中的電流流動(dòng),但它們的工作原理與控制方式都不同。由于晶閘管的PNP結(jié)構(gòu)具有較高的耐壓能力,因此晶閘管不能用門極負(fù)信號(hào)關(guān)閉陽(yáng)極電流。而GTO則具有比較弱的PNP結(jié)構(gòu)耐壓能力,因此可以使用“谷極驅(qū)動(dòng)”的方式以負(fù)信號(hào)關(guān)閉陽(yáng)極電流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶閘管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    35

    文章

    1117

    瀏覽量

    80519
  • NPN管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    44

    瀏覽量

    7182
  • GTO
    GTO
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    25

    瀏覽量

    7987
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiLM22815 600V4A半橋驅(qū)動(dòng)器,解決高壓抗干擾痛點(diǎn)

    。 驅(qū)動(dòng)電流:4A源/4A灌,可并聯(lián)多管。 開關(guān)速度:上升/下降時(shí)間9ns。 傳播延遲:開通/關(guān)斷170ns,匹配延時(shí)30ns。 保護(hù)功能:UVLO(8.9/8.2V),抗負(fù)壓及dV/dt。 邏輯
    發(fā)表于 04-13 08:18

    SiLM2206CJ 600V半橋驅(qū)動(dòng)器如何以集成自舉二管與抗負(fù)壓能力賦能家電與工業(yè)電機(jī)控制?

    ,290mA拉電流/600mA灌電流。 延遲特性:開通/關(guān)斷延遲200ns,高低邊匹配延時(shí)60ns。 封裝:SOP14。 優(yōu)勢(shì) 為什么家電和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)需要一款集成自舉二管且抗-6V
    發(fā)表于 04-11 09:54

    SiC MOSFET 關(guān)斷過(guò)壓抑制:電容與有源鉗位的協(xié)同設(shè)計(jì)

    SiC MOSFET 關(guān)斷過(guò)壓抑制:電容與有源鉗位的協(xié)同設(shè)計(jì) 一、 引言:碳化硅功率器件的動(dòng)態(tài)開關(guān)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,高頻、高壓、高功率密度的轉(zhuǎn)換需求推動(dòng)了寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料
    的頭像 發(fā)表于 03-24 09:24 ?256次閱讀
    SiC MOSFET <b class='flag-5'>關(guān)斷</b>過(guò)壓抑制:<b class='flag-5'>門</b><b class='flag-5'>極</b>電容與有源鉗位的協(xié)同設(shè)計(jì)

    管的原理

    ,要么關(guān)閉(打開)電流可以通過(guò),要么打開(關(guān)閉)電流不能通過(guò)。 二管有哪些作用?二管主要有以
    發(fā)表于 12-22 13:15

    SiLM27213EK-DG專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器,高頻高效率開關(guān)電源解決方案

    系統(tǒng)的最后一把鑰匙。SiLM27213EK-DG專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器,看它如何憑借“寬電壓、大電流、高集成”三大特質(zhì),直擊工程師的設(shè)計(jì)痛點(diǎn)。一、概述:不只是驅(qū)動(dòng),更是系統(tǒng)性能的倍增器在高頻大
    發(fā)表于 12-10 08:55

    SiLM27524NCA-DG雙通道門驅(qū)動(dòng)器:18ns極速驅(qū)動(dòng)的性能解析

    :4.5A拉電流/5.5A灌電流的非對(duì)稱設(shè)計(jì) 3.卓越匹配:雙通道間僅2ns延時(shí)偏差 4.寬壓工作:4.5V-20V單電源供電范圍 5.增強(qiáng)可靠:-5V負(fù)壓承受能力,輸入懸空保護(hù) 6.擴(kuò)展靈活:支持雙通道并聯(lián)
    發(fā)表于 11-17 08:25

    示波器測(cè)電流:正、負(fù)峰值之差≠電流大小

    用示波器觀測(cè)電流時(shí),一個(gè)極易踩陷的認(rèn)知陷阱是:將"正、負(fù)峰值之差"直接當(dāng)作電流的實(shí)際大小。 這種理解會(huì)徹底混淆"峰峰值"與"電流強(qiáng)度"的本質(zhì)區(qū)別——前者只是描述
    的頭像 發(fā)表于 11-12 13:52 ?965次閱讀
    示波器測(cè)<b class='flag-5'>電流</b>:正、<b class='flag-5'>負(fù)</b>峰值之差≠<b class='flag-5'>電流</b>大小

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋驅(qū)動(dòng)器

    600V、4A/4A 半橋驅(qū)動(dòng)SiLM2285,超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì),解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題,實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
    發(fā)表于 10-21 09:09

    SiLM2234 600V半橋驅(qū)動(dòng)器,集成自舉二管助力高可靠性電機(jī)驅(qū)動(dòng)

    SiLM2234 600V半橋驅(qū)動(dòng)器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),內(nèi)部集成自舉二
    發(fā)表于 09-11 08:34

    SLM27526EN-DG 雙通道4.5A/5.5A高速驅(qū)動(dòng)器,支持并聯(lián)驅(qū)動(dòng)與負(fù)壓耐受

    、高匹配精度和負(fù)壓耐受能力,為高可靠性功率系統(tǒng)提供緊湊高效的驅(qū)動(dòng)解決方案,尤其適合對(duì)時(shí)序一致性要求嚴(yán)苛的多通道或并聯(lián)應(yīng)用。#SLM27526 #高速低邊門驅(qū)動(dòng)器 #低邊驅(qū)動(dòng) #
    發(fā)表于 08-20 08:31

    替代LM74700Q低IQ(1uA)理想二管具有2.3A峰值柵極關(guān)斷電流/冗余電源/ORing

    提供柵極驅(qū)動(dòng)。當(dāng)使能引腳處于低電平時(shí),控制芯片關(guān)閉,消耗大約1uA的電流產(chǎn)品特點(diǎn):#4V至150V輸入范圍(3.9V啟動(dòng))#-150V反向電壓額定值#適用于外部N通道MOSFET的電荷泵#20mV陽(yáng)極
    發(fā)表于 07-18 15:26

    還在為高頻大電流電源設(shè)計(jì)頭疼?SiLM27213CB-DG專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器如何解鎖效率新高度?

    (SiLM27213系列) 專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可能就是突破你設(shè)計(jì)瓶頸的那把鑰匙!它主打 “寬電壓、大電流、高集成” ,專為挑戰(zhàn)高頻高效率開關(guān)電源的極限而生。它憑什么能解決我們的痛點(diǎn)?來(lái)看幾大硬核特性
    發(fā)表于 07-05 08:55