據(jù)路透社報道，三星電子第三季度利潤預(yù)計將同比下降 80%，因為全球芯片供應(yīng)過剩的持續(xù)影響導(dǎo)致這家韓國科技巨頭的搖錢樹業(yè)務(wù)巨額虧損。

全球最大的存儲芯片、智能手機和電視制造商將于周三公布第三季度初步盈利結(jié)果。

根據(jù)倫敦證交所 19 名分析師的 SmartEstimate 預(yù)測，7 月至 9 月季度的營業(yè)利潤可能降至 2.1 萬億韓元（15.6 億美元），其中偏重于那些更準(zhǔn)確的分析師。

相比之下，去年第二季度的營業(yè)利潤為 10.85 萬億韓元。

這一逆轉(zhuǎn)是因為，在內(nèi)存芯片價格跌至谷底并沒有像一些人預(yù)測的那樣快回升后，傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。

分析師表示，三星削減芯片產(chǎn)量也損害了規(guī)模經(jīng)濟，提高了芯片制造成本。

繼四月份首次宣布減產(chǎn)后，分析師表示，三星在第三季度進一步削減產(chǎn)量，以減少庫存，并應(yīng)對芯片過剩導(dǎo)致數(shù)十年來最嚴重的行業(yè)衰退。

競爭對手美光科技上個月預(yù)測季度虧損，引發(fā)了人們對該存儲芯片制造商數(shù)據(jù)中心等終端市場復(fù)蘇緩慢的擔(dān)憂。

出于對經(jīng)濟衰退的擔(dān)憂，智能手機和個人電腦制造商一直在避免購買新的存儲芯片，而是選擇在幾個月內(nèi)耗盡現(xiàn)有庫存。

分析師表示，他們的庫存目前已經(jīng)足夠低，預(yù)計需求將在明年初反彈。

KB 證券上月底在一份報告中表示，三星最近收到了一家北美數(shù)據(jù)中心公司一年來的第一筆服務(wù)器內(nèi)存芯片訂單，這引發(fā)了數(shù)據(jù)中心客戶也將再次開始購買芯片的希望。

對高帶寬內(nèi)存（HBM）等人工智能中使用的內(nèi)存芯片的強勁需求仍然是一個亮點，但三星在開發(fā)此類芯片和確保人工智能芯片領(lǐng)導(dǎo)者英偉達（NVDA.哦）。

根據(jù)五位分析師的平均預(yù)測，三星移動業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤可能約為 3 萬億韓元，該公司在本季度推出了高端可折疊智能手機，盡管全球智能手機市場低迷，但仍提振了銷量。

二季獲利大減95%，決心再減少記憶體產(chǎn)能

根據(jù)三星電子公布的2023 年第二季財報財報，半導(dǎo)體(DS) 部門再次出現(xiàn)4 兆韓圓（約31.2 億美元）虧損，決定下半年再削減DRAM 和NAND Flash 記憶體產(chǎn)量。

韓媒報導(dǎo)，三星公布的第二季合并營收和營業(yè)利潤分別為60.01 兆韓圓和6,700 億韓圓，與2022 年同期相較下降22% 和95%；與上季相較，營業(yè)利潤略有提升，市場預(yù)期虧損逐漸減少。

半導(dǎo)體部門第二季業(yè)績略有改善，虧損從第一季4.58 兆韓圓縮小至4.36 兆韓圓。行動和消費電子部門表現(xiàn)較杰出，創(chuàng)造3.83 兆韓圓利獲利。三星顯示器和哈曼(Harman International Industries) 部門也有較好業(yè)績，獲利分別為8,400 億韓圓和2,500 億韓圓。

三星在財報會議說要減產(chǎn)記憶體，下半年下調(diào)產(chǎn)量，以加速庫存正?；?。DRAM 和NAND Flash 更多生產(chǎn)調(diào)整，特別NAND Flash 大幅減產(chǎn)。額外減產(chǎn)計畫將于上一輪減產(chǎn)計畫實施。半導(dǎo)體市場研究人員表示，新減產(chǎn)策略將導(dǎo)致三星記憶體產(chǎn)量比2022 年減少最多20%。另一家南韓記憶體大廠SK 海力士財報會議也宣布，NAND Flash 產(chǎn)品再減產(chǎn)5%~10%。

盡管前景充滿挑戰(zhàn)，三星仍對下半年記憶體市場前景表示樂觀。記憶體業(yè)務(wù)部門副總裁Kim Jae-joon 表示，記憶體庫存5 月達高峰，之后各供應(yīng)商調(diào)整后水位漸漸下降。減少產(chǎn)能后記憶體價格有可能扭轉(zhuǎn)趨勢，并出現(xiàn)上漲。

Kim Jae-joon 對高頻寬記憶體(HBM) 成長也充滿信心，2024 年HBM 需求將成長，三星準(zhǔn)備確保產(chǎn)能，比2023 年至少增加一倍。三星也準(zhǔn)備提高生產(chǎn)力，以滿足下半年額外訂單。

苦盡甘來？

據(jù)Digitimes報道，三星電子正在縮減對平澤晶圓P3工廠的投資，因此擴建規(guī)模最終可能僅為最初計劃規(guī)模的三分之一。由于計劃升級到先進加工節(jié)點的設(shè)備更換，將伴隨著自然減產(chǎn)，因此可能對市場產(chǎn)生重大影響。

報道指出，平澤P3晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將P3晶圓廠的產(chǎn)能增加8萬片DRAM和3萬片NAND晶圓，但現(xiàn)在產(chǎn)能擴張已削減至5萬片DRAM和1萬片NAND晶圓。

得益于這些投入，韓媒Pulse 近日也報導(dǎo)稱，多位消息人士透露，由于NAND 目前價格過低，三星計劃第四季起將NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格提高10% 以上，預(yù)料最快會是本月的新合約會采用調(diào)整后的價格。

從去年下半年起，記憶體產(chǎn)業(yè)市況慘淡，三星上半年開始執(zhí)行減產(chǎn)策略，三星最初在DRAM 實施減產(chǎn)，隨后在下半年大幅漸少NAND 產(chǎn)量，期望透過價格正?；呗耘まD(zhuǎn)NAND 業(yè)務(wù)。

目前較早降價的DRAM 領(lǐng)域出現(xiàn)價格反彈，NAND 產(chǎn)品仍存突破空間。三星目標(biāo)是擴大減產(chǎn)規(guī)模，降低供應(yīng)量，再提高產(chǎn)品價格來尋求反轉(zhuǎn)氣氛，期望明年第二季實現(xiàn)NAND 盈虧平衡點。

SK 證券研究員Han Dong-hee 認為，三星的第二波減產(chǎn)計畫和獲利優(yōu)先政策有望帶動記憶體價格反彈。