可靠性測試是半導(dǎo)體器件測試的一項(xiàng)重要測試內(nèi)容，確保半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性，保證其在各類環(huán)境長時間工作下的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體可靠性測試項(xiàng)目眾多，測試方法多樣，常見的有高低溫測試、熱阻測試、機(jī)械沖擊測試、引線鍵合強(qiáng)度測試等。

半導(dǎo)體可靠性測試項(xiàng)目

1. 外觀檢查

2. 高溫反向偏壓

3. 高溫柵極偏壓

4. 熱沖擊

5. 振動

6. 機(jī)械沖擊

7. 無偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)

8. 高壓釜試驗(yàn)

9. 高加速應(yīng)力試驗(yàn)

10. 高溫高濕反向偏壓

11. 高溫存儲

12. 低溫存儲

13. 絕緣測試

14. 功率循環(huán)

15. EDS特性

16. 破壞性物理分析

17. 焊接熱耐久性

18. 熱阻

19. 引線鍵合強(qiáng)度

20. 介電強(qiáng)度試驗(yàn)

半導(dǎo)體可靠性測試方法

1. 外觀檢測

需要檢查半導(dǎo)體的平整度、顏色、鏡面度等，以確保半導(dǎo)體無外觀缺陷，不影響后續(xù)的測試步驟，主要是對半導(dǎo)體的外觀質(zhì)量進(jìn)行評估。

2.溫度下限工作測試

待測品先加電運(yùn)行測試程序進(jìn)行初試檢測。在待測品不工作的條件下，將箱內(nèi)溫度逐漸降到0℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行測試程序5h，檢測待測品功能與操作是否正常。測試結(jié)束后，待箱溫度回到室溫，取出待測品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。

3.溫度上限工作測試

先對待測品進(jìn)行初試檢測，在待測品不工作條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行系統(tǒng)診斷程序5h，檢測其功能與操作是否正常，測試結(jié)束后，等到箱溫度回到室溫后，取出待測品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。

1. 電性能測試

通過測量半導(dǎo)體的電導(dǎo)率、電阻率、電流和電壓特性等參數(shù)，評估其電性能，檢測其在正常工作條件下的性能表現(xiàn)。

5.低溫儲存測試

將待測品放入低溫箱，箱內(nèi)溫度降到-20℃，在待測品不工作的條件下存放16h，取出待測品回到室溫，再恢復(fù)2h，加電運(yùn)行測試程序，檢測其是否正常運(yùn)行，外觀有無明顯偏差。為防止試驗(yàn)中待測品結(jié)霜和凝露，可將待測品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗(yàn)，必要時還可以在密封套內(nèi)裝吸潮劑。

6.高溫儲存

將待測放入高溫箱，使箱溫度升到55℃，在待測品不工作的條件下存放16h，取出待測品回到室溫，恢復(fù)2h，檢測其是否正常。

ATECLOUD-IC芯片自動化測試系統(tǒng)

測試產(chǎn)品：芯片半導(dǎo)體器件。納米軟件ATECLOUD-IC芯片自動化測試系統(tǒng)適用于二極管、三極管、絕緣柵型場效應(yīng)管、結(jié)型場效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽二極管及多陣列器件等各類半導(dǎo)體分立器件綜合性能自動化測試。

被測項(xiàng)目：溫度測試、耐電壓測試、引腳可靠性測試、ESD抗干擾測試、運(yùn)行測試、X射線侵入測試等。

測試場景：研發(fā)測試、產(chǎn)線測試、老化測試、一測二測等。

ATECLOUD-IC測試系統(tǒng)特點(diǎn)

審核編輯 黃宇