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      美國KRi射頻離子源RFICP 220助力光學薄膜技術(shù)發(fā)展

      上海伯東Hakuto ? 來源：上海伯東Hakuto ? 2023-11-14 12:57 ? 次閱讀
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      上海伯東美國KRi 高能量射頻離子源RFICP 220 應(yīng)用于光學鍍膜機, 增強光學基片反射及透射率, 助力光學薄膜技術(shù)發(fā)展.

      KRi射頻離子源在光學鍍膜機中的作用

      設(shè)備: 客戶自主搭建光學鍍膜機, 光學薄膜強激光裝置組成部分之一

      美國原裝進口高能射頻離子源: RFICP 220

      作用: 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強光學基片反射及透射率. 從而加強激光束, 對薄膜內(nèi)部進行雜質(zhì)和缺陷消除, 解決光學薄膜內(nèi)部因存在雜質(zhì)與缺陷導致的激光損傷問題.

      真空環(huán)境下,KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料.

      同時KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底,對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

      上海伯東美國 KRi射頻離子源RFICP 220 :高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻.滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用.射頻離子源RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標準配置下 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

      陽極 電感耦合等離子體
      2kW & 2 MHz
      射頻自動匹配
      最大陽極功率 >1kW
      最大離子束流 > 1000mA
      電壓范圍 100-1200V
      離子束動能 100-1200eV
      氣體 Ar, O2, N2, 其他
      流量 5-50 sccm
      壓力 < 0.5mTorr
      離子光學, 自對準 OptiBeamTM
      離子束柵極 22cm Φ
      柵極材質(zhì) 鉬
      離子束流形狀 平行,聚焦,散射
      中和器 LFN 2000 orRFN
      高度 30 cm
      直徑 41 cm
      鎖緊安裝法蘭 10”CF








      審核編輯：劉清

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：美國 KRi 射頻離子源助力光學薄膜技術(shù)發(fā)展

      文章出處：【微信號：HakutoSH，微信公眾號：上海伯東Hakuto】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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