北方華創(chuàng)“半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備”專利獲授權(quán)
北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司的“半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備”專利獲批。許可公告日為11月14日，許可公告號為cn111799191b。
根據(jù)發(fā)明專利要點(diǎn)，該公司提供的一種半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備；半導(dǎo)體晶片處理腔室包括腔體、設(shè)置在該腔體內(nèi)可沿豎直方向移動(dòng)的片盒和設(shè)置在腔體內(nèi)的加熱組件，還包括溫度檢測組件，該溫度檢測組件的檢測部為溫度檢測板，該溫度檢測板設(shè)置在腔體內(nèi)，且與腔體固定連接，用于檢測腔體的內(nèi)部溫度。
本發(fā)明提供的半導(dǎo)體晶片處理腔室可以解決現(xiàn)有熱電偶的導(dǎo)線連接安全問題。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
338文章
30599瀏覽量
263413 -
溫度檢測
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
111瀏覽量
24701 -
晶片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
413瀏覽量
32875
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
小華半導(dǎo)體高性能車規(guī)處理器XC38重磅發(fā)布
近日，華大半導(dǎo)體旗下小華半導(dǎo)體有限公司迎來重大里程碑：經(jīng)過企業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的匠心打磨與內(nèi)部嚴(yán)格測試驗(yàn)證，小華半導(dǎo)體自主研發(fā)的高性能車規(guī)處理器XC
芯源半導(dǎo)體在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中具體防護(hù)方案
（一）數(shù)據(jù)傳輸安全防護(hù)方案?
在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與云端、其他設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，芯源半導(dǎo)體安全芯片通過以下方式保障數(shù)據(jù)傳輸安全：?
數(shù)據(jù)加密傳輸：利用安全芯片內(nèi)置的硬件加密引擎，對傳輸?shù)臄?shù)據(jù)進(jìn)行加密
發(fā)表于 11-18 08:06
是德科技Keysight B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機(jī)
一臺半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
發(fā)表于 10-29 14:28
現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
發(fā)表于 07-12 16:18
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
發(fā)表于 07-11 14:49
半導(dǎo)體設(shè)備，日韓大賺！
半導(dǎo)體設(shè)備，一直是一個(gè)水深火熱的細(xì)分領(lǐng)域。 隨著2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額數(shù)據(jù)的出爐，這一領(lǐng)域迎來更多看點(diǎn)。 ** 01****半導(dǎo)體
半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
瑞聲科技與創(chuàng)晟半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作
近日，瑞聲科技與高端車規(guī)通信芯片企業(yè)創(chuàng)晟半導(dǎo)體（深圳）有限公司（以下簡稱“創(chuàng)晟半導(dǎo)體”）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。雙方將在車載信號傳輸處理方面深度合
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
發(fā)表于 05-10 22:32
傳中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將大規(guī)格重組
下，中國似乎計(jì)劃采取資源集中策略，扶持具有潛力的企業(yè)。今年3月，中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)率先開始動(dòng)作，該公司以16.9億元收購?fù)磕z顯影
Q1半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)融資：量測設(shè)備占4成，新興領(lǐng)域成突圍焦點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化持續(xù)進(jìn)行，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也進(jìn)入新的發(fā)展階段。在研發(fā)成果方面，今年的SEMICON上，中微半導(dǎo)體、
最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料，涵蓋晶圓工藝到后端封測
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔
發(fā)表于 04-15 13:52
北方華創(chuàng)躍居全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商第六位
。 不過，北方華創(chuàng)憑借其在刻蝕、薄膜沉積和清洗設(shè)備方面的專業(yè)技能，其全球排名從第十位升至第六位。 2024年半導(dǎo)體
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
（Yamatake Semiconductor）
領(lǐng)域 ：半導(dǎo)體設(shè)備
亮點(diǎn) ：全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等，2024年科
發(fā)表于 03-05 19:37
華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論