chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-11-22 17:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢?外延層的存在有何意義?

半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成,這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用,并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。

首先,襯底是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ),它提供了器件所需的電性和結(jié)構(gòu)支撐。半導(dǎo)體材料一般是通過摻雜來改變其電性質(zhì),而襯底作為摻雜的基底,可以提供器件所需的電性特征,如N型或P型摻雜。此外,襯底還能給器件提供結(jié)構(gòu)支撐,確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。在某些高級(jí)半導(dǎo)體器件中,襯底還可以作為散熱層,提高器件的散熱性能。

此外,由于襯底通常由晶體材料制成,其晶格結(jié)構(gòu)和晶向?qū)ζ骷阅苡兄卮笥绊?。例如,在半?dǎo)體激光器中,激光的輸出方向通常與晶體材料的晶向相關(guān),因此選擇合適的襯底材料和晶向可以實(shí)現(xiàn)更好的激光輸出性能。

然而,襯底材料的選擇往往受到制造工藝和器件設(shè)計(jì)的限制,因此很難滿足所有的要求。此時(shí)外延層的引入就可以彌補(bǔ)這些不足。外延層是指在襯底表面沉積一層與襯底材料相同或不同的材料。通過外延層的應(yīng)用,我們可以實(shí)現(xiàn)以下幾個(gè)方面的優(yōu)化:

1. 匹配襯底和外延材料的晶格結(jié)構(gòu)。由于外延層是在襯底上生長(zhǎng)的,因此可以根據(jù)襯底的晶格結(jié)構(gòu)選擇適當(dāng)?shù)耐庋硬牧?。這樣可以避免襯底和外延層之間的晶格差異,減少晶體缺陷的產(chǎn)生,提高器件的性能和可靠性。

2. 改變外延層的材料屬性。外延層可以選擇與襯底不同的材料,并通過合適的外延工藝,使外延層具有理想的電性和光學(xué)性質(zhì)。例如,在光電器件中,可以利用外延層材料的光學(xué)特性來增強(qiáng)器件的光吸收和電荷傳輸效率,從而提高器件的性能。

3. 提供器件的多層結(jié)構(gòu)。在某些應(yīng)用中,需要將多個(gè)功能層疊加在一起構(gòu)成復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。外延層可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)需求,通過多次外延生長(zhǎng)來制備具有特定結(jié)構(gòu)的器件。這種方法無需改變襯底材料,可以靈活地調(diào)整器件的結(jié)構(gòu)和性能。

總之,襯底和外延層在半導(dǎo)體器件制造中都起著重要的作用。襯底提供了器件的基礎(chǔ)電性和結(jié)構(gòu)支撐,而外延層可以優(yōu)化器件的晶格結(jié)構(gòu)、材料屬性和器件結(jié)構(gòu),從而達(dá)到更好的性能和功能。這種襯底和外延層的分工配合是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    338

    文章

    30599

    瀏覽量

    263451
  • 激光器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    2948

    瀏覽量

    64536
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    高純熱壓碳化硅陶瓷外延基座的性能優(yōu)勢(shì)與制造工藝解析

    高純度熱壓燒結(jié)碳化硅陶瓷外延生長(zhǎng)基座是半導(dǎo)體制造和先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)等工藝中。該基座在高溫、腐蝕性及高真空環(huán)境下支撐
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:46 ?1823次閱讀
    高純熱壓碳化硅陶瓷<b class='flag-5'>外延</b>基座的性能優(yōu)勢(shì)與制造工藝解析

    橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

    隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展,氮化鋁(AlN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響
    的頭像 發(fā)表于 12-26 18:02 ?1181次閱讀
    橢偏儀在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的應(yīng)用|不同厚度c-AlN<b class='flag-5'>外延</b>薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

    襯底清洗全攻略:從濕法到干法,解鎖半導(dǎo)體制造的“潔凈密碼”

    襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長(zhǎng)等工藝中的關(guān)鍵步驟,其目的是去除襯底表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化等),確保后續(xù)薄膜沉積
    的頭像 發(fā)表于 12-10 13:45 ?516次閱讀
    <b class='flag-5'>襯底</b>清洗全攻略:從濕法到干法,解鎖<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造的“潔凈密碼”

    外延片氧化清洗流程介紹

    外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝(如氧化生長(zhǎng))提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析:一、預(yù)處理階段初步清洗目的:去除外延片表
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:24 ?375次閱讀
    <b class='flag-5'>外延</b>片氧化清洗流程介紹

    半導(dǎo)體襯底”和“外延”區(qū)別的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,特別是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)鏈中,會(huì)有襯底
    的頭像 發(fā)表于 12-04 08:23 ?1440次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>“<b class='flag-5'>襯底</b>”和“<b class='flag-5'>外延</b>”區(qū)別的詳解;

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?807次閱讀
    【新啟航】碳化硅<b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    襯底外延:碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    碳化硅襯底外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1701次閱讀
    從<b class='flag-5'>襯底</b>到<b class='flag-5'>外延</b>:碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積有什么不同

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長(zhǎng)一具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:40 ?1795次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>和薄膜沉積有什么不同

    半導(dǎo)體外延工藝在哪個(gè)階段進(jìn)行的

    半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝(FEOL)階段進(jìn)行。以下是具體說明:所屬環(huán)節(jié)定位:作為核心步驟之一,外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:36 ?1390次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>工藝在哪個(gè)階段進(jìn)行的

    晶圓清洗后表面外延顆粒要求

    晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo),直接影響后續(xù)工藝(如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等)的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn):一、顆粒污染的核心要求
    的頭像 發(fā)表于 07-22 16:54 ?1877次閱讀
    晶圓清洗后表面<b class='flag-5'>外延</b>顆粒要求

    臺(tái)階儀應(yīng)用 | 半導(dǎo)體GaAs/Si異質(zhì)外延表面粗糙度優(yōu)化

    半導(dǎo)體行業(yè)中,硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵,而在硅si襯底外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具,在GaAs/Si異質(zhì)外延
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:51 ?663次閱讀
    臺(tái)階儀應(yīng)用 | <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>GaAs/Si異質(zhì)<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>層</b>表面粗糙度優(yōu)化

    一文詳解外延生長(zhǎng)技術(shù)

    隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按
    的頭像 發(fā)表于 06-16 11:44 ?2823次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>外延</b>生長(zhǎng)技術(shù)

    利用納米壓痕技術(shù)評(píng)估襯底和膜的脆性

    了一套簡(jiǎn)明的納米壓痕實(shí)驗(yàn)的組合,旨在評(píng)估襯底外延的脆性,并為半導(dǎo)體制造商提供反饋,以減少在制造過程中可能產(chǎn)生和擴(kuò)展的潛在缺陷。
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:26 ?1184次閱讀
    利用納米壓痕技術(shù)評(píng)估<b class='flag-5'>襯底</b>和膜<b class='flag-5'>層</b>的脆性

    在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延的必要性

    本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延的必要性。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 10:06 ?1087次閱讀

    常見的幾種薄膜外延技術(shù)介紹

    薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法,其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 11:12 ?2567次閱讀
    常見的幾種薄膜<b class='flag-5'>外延</b>技術(shù)介紹