chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的鉗位電路

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-11-30 18:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

作者: 楊勇,來(lái)源: 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)

IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過(guò)集電極或者門(mén)極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)。

Vce鉗位電路

Vce鉗位電路目的是為了避免在大電流、短路、低溫等特殊工況時(shí),Vce之間的尖峰電壓超過(guò)器件可以耐受的最大值,該電路的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示。該電路由于設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單而且能起到立桿見(jiàn)影的效果,被很多設(shè)計(jì)者采用。

wKgZomVdidyAQOFOAABcPAulWwM896.png

圖一 有源鉗位電路示意圖

其鉗位電壓的選擇可以采用以下公式:

wKgaomVdid2ARoxiAABMvDZcxbM298.jpg

其中:

Vmax為電路設(shè)計(jì)中允許的Vce電壓最大值, 應(yīng)考慮器件阻斷電壓以及余量

Vz為鉗位二極管的額定電壓

aT為溫漂系數(shù),通常為0.1%,具體的數(shù)值需要查閱所選擇器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)

Tj為器件實(shí)際的工作溫度

Tv為器件鉗位電壓值的容差,比如有5%或者10%,具體值查閱器件數(shù)據(jù)手冊(cè)

Vce peak為器件阻斷電壓

但是,對(duì)于該電路也存在兩種截然不同的觀點(diǎn),一種觀點(diǎn)認(rèn)為,由于鉗位二極管容差以及溫漂影響很大,其實(shí)際運(yùn)行時(shí)開(kāi)啟的電壓值變化幅度大,導(dǎo)致鉗位電壓值不固定,因此在實(shí)際設(shè)計(jì)中不采用;另一種觀點(diǎn)認(rèn)為,這種電路實(shí)現(xiàn)比較簡(jiǎn)單,即使二極管特性不是很穩(wěn)定但是適當(dāng)增加冗余或者采用多個(gè)鉗位電壓較低的二極管串聯(lián),也可以達(dá)到減小鉗位二極管容差的目的,從而使鉗位電壓值偏差相對(duì)減小。兩種設(shè)計(jì)思路各有利弊,你會(huì)考慮哪種呢,歡迎大家發(fā)表各自的見(jiàn)解。詳細(xì)工作原理也可參照微信文章鏈接如何抑制IGBT集電極過(guò)壓尖峰

Vge鉗位電路

在IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中,可以采用三種方式來(lái)控制Vge之間的電壓在器件允許的范圍內(nèi)。

第一種如圖二中VDZ,GE之間采用雙向鉗位二極管;

第二種將門(mén)極通過(guò)快速二極管連接到驅(qū)動(dòng)電源(如圖二中VD2);

第三種是在GE之間采用三極管把門(mén)極電壓下拉到發(fā)射極(如圖三)。

wKgZomVdid6ABDVHAAHKRMOlp_E886.png

圖二 Vge通過(guò)快速二極管連接到驅(qū)動(dòng)電源

wKgaomVdieCAdamlAAAe3e1QIoM990.png

圖三 Vge通過(guò)米勒鉗位電路避免直通

首先看GE之間采用雙向鉗位二極管。這種電路可以有效地降低Vge電壓尖峰,以確保Vge的電壓在特定場(chǎng)合比如短路中,保持在設(shè)計(jì)者期望的電壓水平。但是在多年的實(shí)際應(yīng)用實(shí)踐中,筆者發(fā)現(xiàn)雙向二極管在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后會(huì)發(fā)生單向擊穿,出現(xiàn)單邊失效呈現(xiàn)短路狀態(tài),請(qǐng)大家在設(shè)計(jì)使用中特別留意。

第二種設(shè)計(jì)是在Vge電路中通過(guò)肖特基二極管連接到驅(qū)動(dòng)的正電源,如上圖二的二極管VD2。這種電路其實(shí)是前面第一種電路的簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),由于電路的工作特點(diǎn),驅(qū)動(dòng)回路中的負(fù)電壓比較穩(wěn)定,可以通過(guò)電源設(shè)計(jì)解決,而正電壓在dudt發(fā)生變化時(shí)會(huì)通過(guò)米勒電容電流抬升門(mén)極電壓,因此需要鉗位電路把門(mén)極正電壓鉗在合適的位置,比如+15V的驅(qū)動(dòng)電源。在選擇二極管時(shí)考慮40V的耐壓即可,另外在封裝允許的條件下盡可能選擇平均電流稍大的器件,這樣在實(shí)際應(yīng)用中壓降小更容易使電壓鉗位在接近正電源的水平,同時(shí)在布線時(shí)該二極管要靠近門(mén)極。

第三種電路又叫米勒鉗位,主要是用在門(mén)極關(guān)斷電壓是0V的情況,常用于一些小功率場(chǎng)合。在對(duì)管開(kāi)通時(shí),dudt的變化會(huì)抬高處于關(guān)閉狀態(tài)的另一個(gè)IGBT的門(mén)極電壓,這種情況在某些條件下會(huì)導(dǎo)致處于串聯(lián)的IGBT器件同時(shí)開(kāi)通,從而導(dǎo)致短路。為了避免這個(gè)情況可以采用圖三所示的Rb+T電路,在IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),Vge電壓處于低電平,比如0V,因此三極管T處于開(kāi)通狀態(tài)。在布線時(shí)確保三極管放在靠近IGBT門(mén)極的位置,以確保IGBT的門(mén)極電壓水平處于下拉水平,從而為米勒電流提供了一條低阻回路,避免門(mén)極電壓水平受到米勒電流的影響而抬高電壓,導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通。詳細(xì)的測(cè)試波形請(qǐng)參看鏈接IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓

小結(jié)一下

1.給出Vce有源鉗位電路二極管選型的計(jì)算參考,但是是否選用該電路取決于設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)傾向以及風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估。
2.Vge鉗位電路有以下三種:

采用雙向鉗位二極管,但是使用中會(huì)出現(xiàn)單邊失效問(wèn)題,謹(jǐn)慎采用;

通過(guò)肖特基二極管連接門(mén)極+15v到電源正極,達(dá)到鉗位的作用;

在門(mén)極關(guān)斷電壓是0V時(shí),通過(guò)三極管在門(mén)極和集電極之間設(shè)置低阻回路,避免米勒電壓引起的寄生導(dǎo)通。位二極管,但是使用中會(huì)出現(xiàn)

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10446

    瀏覽量

    179387
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1291

    文章

    4369

    瀏覽量

    264247
  • 鉗位電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    93

    瀏覽量

    14292
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    AS2621 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

    芯片,具有兩個(gè)獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過(guò)壓電路等保護(hù)電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至?3.3V
    的頭像 發(fā)表于 03-23 14:35 ?174次閱讀
    AS2621 700V大電流高、低側(cè)MOSFET/<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>芯片

    簡(jiǎn)述IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心功率器件,是新能源、工控、充電樁等設(shè)備的“功率心臟”,而驅(qū)動(dòng)電路則是其穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一旦出錯(cuò),輕則損耗增大、干擾超標(biāo),重則器件燒毀、整機(jī)故障,這
    的頭像 發(fā)表于 03-16 15:55 ?553次閱讀

    探究TL7726六通道電路:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    探究TL7726六通道電路:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,對(duì)于保護(hù)電路免受大瞬態(tài)尖峰影響是一個(gè)關(guān)鍵需求。德州儀器(TI)的TL7726六通道
    的頭像 發(fā)表于 03-02 15:30 ?180次閱讀

    輸入保護(hù)的TIA放大器腳使用說(shuō)明

    輸入保護(hù)的TIA放大器腳使用說(shuō)明
    的頭像 發(fā)表于 01-06 16:33 ?442次閱讀
    輸入<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>保護(hù)的TIA放大器<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>腳使用說(shuō)明

    奧特IGBT光耦A(yù)T314,輕松實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)隔離電路耐壓可達(dá)5000Vrms

    揮著重要作用。IGBT驅(qū)動(dòng)光耦原理IGBT驅(qū)動(dòng)電路主要負(fù)責(zé)為IGBT提供合適的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 13:28 ?777次閱讀
    奧特<b class='flag-5'>IGBT</b>光耦A(yù)T314,輕松實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>隔離<b class='flag-5'>電路</b>耐壓可達(dá)5000Vrms

    反激電源RCD電路參數(shù)設(shè)計(jì)

    RCD電路(也稱(chēng)為RCD緩沖電路或RCD吸收電路)在開(kāi)關(guān)電源(尤其是反激變換器)中廣泛應(yīng)用,其主要目的是吸收開(kāi)關(guān)管(如MOSFET)關(guān)斷
    的頭像 發(fā)表于 11-30 16:54 ?5522次閱讀
    反激電源<b class='flag-5'>中</b>RCD<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>電路</b>參數(shù)設(shè)計(jì)

    反激拓?fù)銻CD電路的計(jì)算

    反激電源RCD電路電阻電容的計(jì)算,以及實(shí)際應(yīng)用存在的問(wèn)題。
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:51 ?1557次閱讀
    反激拓?fù)銻CD<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>電路</b>的計(jì)算

    泰克科技無(wú)需電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

    的分辨率測(cè)量漏源電壓,而不會(huì)使示波器輸入過(guò)載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測(cè)試(WBG-DPT)測(cè)量軟件引入了一種新的軟件方法,采用獨(dú)特的雙探頭技術(shù),無(wú)需使用
    發(fā)表于 09-12 19:43 ?906次閱讀
    泰克科技無(wú)需<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>電路</b>實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

    無(wú)需電路,精準(zhǔn)測(cè)量GaN動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)

    (on)),一直是設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。動(dòng)態(tài)RDS(on)揭示了電荷俘獲效應(yīng)的影響,直接影響器件的傳導(dǎo)損耗和效率。傳統(tǒng)測(cè)量方法依賴硬件電路,不僅引入誤差源,也增加了測(cè)試復(fù)雜度
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:14 ?1395次閱讀
    無(wú)需<b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>電路</b>,精準(zhǔn)測(cè)量GaN動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)

    微愛(ài)芯推出低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)電路AiP44273L

    AiP44273L是一款低側(cè)單通道的柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平,輸入電壓范
    的頭像 發(fā)表于 08-13 11:36 ?2096次閱讀
    <b class='flag-5'>中</b>微愛(ài)芯推出低側(cè)單通道柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>AiP44273L

    IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算

    IGBT模塊GE間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:41 ?4361次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>功率的計(jì)算

    IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 應(yīng)用電路實(shí)例

    從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)的工程技術(shù)人員在實(shí)際設(shè)計(jì)工作參考。 全書(shū)共分為6章,在概述了IGBT的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢(shì)的基礎(chǔ)上,講解了IGBT
    發(fā)表于 07-14 17:32

    IGBT模塊上橋臂驅(qū)動(dòng)電路原理詳解

    IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí),上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路,要開(kāi)通上橋
    的頭像 發(fā)表于 07-03 10:46 ?5397次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊上橋臂<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>原理詳解

    1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E

    IGBT的柵極電壓可通過(guò)不同的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行
    的頭像 發(fā)表于 06-12 09:55 ?1122次閱讀
    1安培輸出電流的<b class='flag-5'>IGBT</b>柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>光耦合器-ICPL-155E

    正激主動(dòng)電路 輸出電壓抖動(dòng)

    我目前在研究一個(gè)正激拓?fù)涞闹鲃?dòng)電路,輸入電壓范圍是直流30V~45V,它有三路輸出,分別是5.1V,15V,24V。 板子的反面是功率MOS管,所以最終板子會(huì)安裝在一塊散熱金屬塊上,散熱塊的面積
    發(fā)表于 04-24 09:40