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【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):低RDS(ON)的解決方案

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-13 14:17 ? 次閱讀
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針對(duì)MOSFET的最大問(wèn)題,我們正采取以下對(duì)策:“如何有效利用元件面積以有效降低導(dǎo)通電阻”

(1)高電壓:下一頁(yè)將介紹通過(guò)先進(jìn)的超結(jié)工藝降低Rdrift電阻。

(2)低電壓:通過(guò)對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可最大限度降低Rch電阻,采用薄晶片降低Rsub電阻。

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圖3-8影響MOSFET導(dǎo)通電阻的因素

文章來(lái)源:東芝半導(dǎo)體

審核編輯:湯梓紅

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