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      【科普小貼士】MOSFET性能改進：低RDS(ON)的解決方案

      jf_pJlTbmA9 ? 來源：東芝半導體 ? 2023-12-13 14:17 ? 次閱讀
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      針對MOSFET的最大問題，我們正采取以下對策：“如何有效利用元件面積以有效降低導通電阻”

      （1）高電壓：下一頁將介紹通過先進的超結工藝降低Rdrift電阻。

      （2）低電壓：通過對溝槽結構的精細圖形化可最大限度降低Rch電阻，采用薄晶片降低Rsub電阻。

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      圖3-8影響MOSFET導通電阻的因素

      文章來源：東芝半導體

      審核編輯：湯梓紅

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