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      【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：低RDS(ON)的解決方案

      jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源：東芝半導(dǎo)體 ? 2023-12-13 14:17 ? 次閱讀
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      針對(duì)MOSFET的最大問(wèn)題，我們正采取以下對(duì)策：“如何有效利用元件面積以有效降低導(dǎo)通電阻”

      （1）高電壓：下一頁(yè)將介紹通過(guò)先進(jìn)的超結(jié)工藝降低Rdrift電阻。

      （2）低電壓：通過(guò)對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可最大限度降低Rch電阻，采用薄晶片降低Rsub電阻。

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      圖3-8影響MOSFET導(dǎo)通電阻的因素

      文章來(lái)源：東芝半導(dǎo)體

      審核編輯：湯梓紅

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