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【科普小貼士】MOSFET性能改進:低RDS(ON)的解決方案

jf_pJlTbmA9 ? 來源:東芝半導體 ? 2023-12-13 14:17 ? 次閱讀
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針對MOSFET的最大問題,我們正采取以下對策:“如何有效利用元件面積以有效降低導通電阻”

(1)高電壓:下一頁將介紹通過先進的超結工藝降低Rdrift電阻。

(2)低電壓:通過對溝槽結構的精細圖形化可最大限度降低Rch電阻,采用薄晶片降低Rsub電阻。

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圖3-8影響MOSFET導通電阻的因素

文章來源:東芝半導體

審核編輯:湯梓紅

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