汽車(chē)電子上要求存儲(chǔ)系統(tǒng)必須能夠在車(chē)輛事故中保存下來(lái)——由于碰撞可能導(dǎo)致汽車(chē)的低壓系統(tǒng)斷電,存儲(chǔ)需要一種無(wú)需連接電源即可保存數(shù)據(jù)的原生非易失性存儲(chǔ)器。除此之外,記錄數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)必須滿足一些嚴(yán)格的條件。
汽車(chē)存儲(chǔ)器的基本要求
1)非易失性:這是基本要求,數(shù)據(jù)得記下來(lái)
2)惡劣環(huán)境下的生存性:碰撞以后,存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)得保存下來(lái)
3)工作時(shí)間和壽命:汽車(chē)的生命周期很長(zhǎng),在車(chē)舊了以后存儲(chǔ)器也需要能工作
4)低功耗:如果功耗太高,對(duì)于設(shè)計(jì)保存機(jī)制會(huì)存在困難
5)刷寫(xiě)快:碰撞的時(shí)間很短,如果電源斷電,數(shù)據(jù)需要快速寫(xiě)上去
從Flash、EEPROM到F-RAM,汽車(chē)存儲(chǔ)器的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)在不斷變化,主要的維度還是更快的刷寫(xiě)。對(duì)于自動(dòng)輔助駕駛系統(tǒng)而言,把數(shù)據(jù)快速存下來(lái)很方便。F-RAM存儲(chǔ)器(結(jié)合了RAM和ROM的優(yōu)勢(shì))比EEPROM擁有更多優(yōu)勢(shì),主要是不需要寫(xiě)等待時(shí)間,幾乎可以實(shí)時(shí)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)(實(shí)際10us存儲(chǔ)時(shí)間);相比之下,EEPROM通常需要超過(guò)10毫秒的寫(xiě)入等待時(shí)間。
FRAM在寫(xiě)入速度和功率方面都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于浮柵器件。對(duì)于時(shí)鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM,寫(xiě)入256位(32字節(jié)頁(yè)面緩沖區(qū))需要5毫秒,寫(xiě)入整個(gè)64Kb需要1283.6毫秒。對(duì)于等效的FRAM,256位僅需14μs,寫(xiě)入整個(gè)64Kb僅需3.25ms。此外,將64Kb寫(xiě)入EEPROM需要3900μJ,而將64Kb寫(xiě)入F-RAM需要17μJ,相差超過(guò)229倍。
FeRAM的最大優(yōu)勢(shì)是可以保證大量數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)周期。由于它可以重寫(xiě)高達(dá)100萬(wàn)億次的數(shù)據(jù),因此我們的FeRAM適用于頻繁重寫(xiě)數(shù)據(jù)的用途。例如,F(xiàn)eRAM存儲(chǔ)器已被采用為記錄儀表,測(cè)量?jī)x器,工業(yè)機(jī)器人和汽車(chē)信息的常用存儲(chǔ)器。
汽車(chē)的應(yīng)用場(chǎng)景
在整個(gè)使用場(chǎng)景,存儲(chǔ)器的應(yīng)用廣泛覆蓋了各種傳感器帶來(lái)的數(shù)據(jù),比如自動(dòng)輔助駕駛、儀表系統(tǒng)(里程和關(guān)鍵信息),電池管理系統(tǒng)、行車(chē)記錄儀、娛樂(lè)系統(tǒng)和網(wǎng)關(guān)系統(tǒng)。事實(shí)上,如果設(shè)計(jì)考究,在很多地方都可以使用這種存儲(chǔ)器。
汽車(chē)儀表
F-RAM記錄時(shí)時(shí)變化的儀表數(shù)據(jù)
·非易失性存儲(chǔ)器
·高可靠性
·FeRAM無(wú)需寫(xiě)等待,快速讀寫(xiě)
·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA
·無(wú)限次的擦寫(xiě)次數(shù)(一萬(wàn)億次)
車(chē)載DVD
FeRAM記錄GPS軌跡,DVD掉電軌跡,數(shù)字收音機(jī)頻道信息
推薦型號(hào):MB85RS64T
·非易失性存儲(chǔ)器
·FeRAM無(wú)需寫(xiě)等待,快速讀寫(xiě)
·低功耗
安全氣囊
FeRAM在安全汽囊應(yīng)用:
推薦型號(hào)MB85RS64V
·FeRAM無(wú)需寫(xiě)等待,具有非??斓捻憫?yīng)速度(50ns)
·非易失性存儲(chǔ)器,不需要電池備份,(高可靠性)
·無(wú)限次的擦寫(xiě)次數(shù)(一萬(wàn)億次)
車(chē)行駛記錄儀
FeRAM在汽車(chē)行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲(chǔ)實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車(chē).
推薦型號(hào):MB85RS64T
·非易失性存儲(chǔ)器
·高可靠性
·FeRAM無(wú)需寫(xiě)等待,快速讀寫(xiě)
·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA
·無(wú)限次的擦寫(xiě)次數(shù)(一萬(wàn)億次)
F-RAM 擁有無(wú)限耐用性與其實(shí)時(shí)性、非易失性、高吞吐量和可靠的數(shù)據(jù)捕獲相結(jié)合,使其成為針對(duì)汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中高性能數(shù)據(jù)記錄的非易失性存儲(chǔ)器的強(qiáng)大選擇。由于F-RAM在各種掉電事故中,都能保證數(shù)據(jù)能存下來(lái),確實(shí)是一種很好的存儲(chǔ)器選擇。
符合AEC-Q100可靠性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品型號(hào) | 內(nèi)存容量 (bit) | 輸入電壓 (V) | 工作頻率 (Hz) | 工作溫度 (。C) | 讀寫(xiě)耐久性 (讀寫(xiě)次數(shù)) | 數(shù)據(jù)保持時(shí)間(保證値)*3 | 封裝類別 |
MB85RS4MTY | 4M | 1.8 to3.6 | 50M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | DFN-8(SOP-8*4) |
MB85RS4MLY | 4M | 1.7 to1.95 | 50M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | DFN-8(SOP-8*4) |
MB85RS2MTY | 2M | 1.8 to3.6 | 50M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | DFN-8, SOP-8 |
MB85RS2MLY | 2M | 1.7 to1.95 | 50M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | DFN-8, SOP-8 |
MB85RS256TY | 256K | 1.8 to3.6 | 40M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
MB85RS128TY | 128K | 1.8 to3.6 | 40M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
MB85RS64VY | 64K | 2.7 to5.5 | 33M | -40 to+125 | 10萬(wàn)億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
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