據(jù)悉，三星電子及美光科技等存儲芯片龍頭企業(yè)計劃于2024年初把DRAM價格提高15%-20%，相較于今年第四季度的較為穩(wěn)定，預計執(zhí)行此舉是為了加快恢復利潤。在漲價名單中，屬于DRAM的DDR4和DDR5被提到主要對象。

部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；步入新年后，隨著手機和服務器需求漸復蘇，DRAM供給趨勢將趨于緊張。

專家認為，三星有望領跑此次DRAM產(chǎn)品的價格調整行動。至于韓國的DRAM供應商，他們主動放慢了下半年DRAM的使用率。2023年的最后一個季度，三星的 DRAM產(chǎn)量只有首季的大約70%，并增加了先進制程產(chǎn)能的占比。他們還預測2024年首季將繼續(xù)嚴格管理DRAM出貨量，芯片供應商需要進一步提高高級節(jié)點的產(chǎn)能，同時削減成熟工藝的產(chǎn)出。

各主要DRAM芯片商如三星、美光等，曾采用1X或1Y納米的制作工藝進行DDR4產(chǎn)品制造，然而在去年，三星將其8GB和16GB產(chǎn)品轉為更先進的1Z納米工藝，而美光則將DDR4生產(chǎn)全面轉移至1α納米工藝。此外，存儲芯片制造商已開始從16GB DDR5的1β節(jié)點向更高端的工藝升級。

結合去年年末的市場狀況觀察，無論是DRAM還是NAND都沒有出現(xiàn)明顯的供需失衡現(xiàn)象，顯示終端市場需求尚未完全回暖。新年伊始，業(yè)內普遍認為未來市場走勢將較為謹慎。