據(jù)悉，三星電子及美光科技等存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)計(jì)劃于2024年初把DRAM價(jià)格提高15%-20%，相較于今年第四季度的較為穩(wěn)定，預(yù)計(jì)執(zhí)行此舉是為了加快恢復(fù)利潤。在漲價(jià)名單中，屬于DRAM的DDR4和DDR5被提到主要對(duì)象。

部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；步入新年后，隨著手機(jī)和服務(wù)器需求漸復(fù)蘇，DRAM供給趨勢將趨于緊張。

專家認(rèn)為，三星有望領(lǐng)跑此次DRAM產(chǎn)品的價(jià)格調(diào)整行動(dòng)。至于韓國的DRAM供應(yīng)商，他們主動(dòng)放慢了下半年DRAM的使用率。2023年的最后一個(gè)季度，三星的 DRAM產(chǎn)量只有首季的大約70%，并增加了先進(jìn)制程產(chǎn)能的占比。他們還預(yù)測2024年首季將繼續(xù)嚴(yán)格管理DRAM出貨量，芯片供應(yīng)商需要進(jìn)一步提高高級(jí)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能，同時(shí)削減成熟工藝的產(chǎn)出。

各主要DRAM芯片商如三星、美光等，曾采用1X或1Y納米的制作工藝進(jìn)行DDR4產(chǎn)品制造，然而在去年，三星將其8GB和16GB產(chǎn)品轉(zhuǎn)為更先進(jìn)的1Z納米工藝，而美光則將DDR4生產(chǎn)全面轉(zhuǎn)移至1α納米工藝。此外，存儲(chǔ)芯片制造商已開始從16GB DDR5的1β節(jié)點(diǎn)向更高端的工藝升級(jí)。

結(jié)合去年年末的市場狀況觀察，無論是DRAM還是NAND都沒有出現(xiàn)明顯的供需失衡現(xiàn)象，顯示終端市場需求尚未完全回暖。新年伊始，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為未來市場走勢將較為謹(jǐn)慎。