近日，據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道，存儲(chǔ)器模塊業(yè)者透露，全球存儲(chǔ)器巨頭三星電子和美光正計(jì)劃在今年第一季度將DRAM價(jià)格上調(diào)15%-20%，這一調(diào)整將從1月起正式執(zhí)行。此舉旨在催促客戶提前規(guī)劃未來(lái)的需求量。目前，已有多家廠商證實(shí)收到了三星的漲價(jià)預(yù)告。

業(yè)內(nèi)人士分析，此次漲價(jià)反映了上游原廠對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的調(diào)整。過(guò)去，NAND Flash是漲價(jià)的主要焦點(diǎn)，但現(xiàn)在，隨著市場(chǎng)需求的轉(zhuǎn)變，DRAM成為了上游廠商關(guān)注的重點(diǎn)。DDR4和DDR5有望成為下一波調(diào)漲的重點(diǎn)，這將有助于改善存儲(chǔ)器廠商的運(yùn)營(yíng)虧損狀況。相比之下，DDR3的產(chǎn)能和需求相對(duì)穩(wěn)定，預(yù)計(jì)其價(jià)格漲幅將保持相對(duì)平緩。

隨著上游原廠醞釀提價(jià)，多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開(kāi)始備貨，以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。

在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM和NAND Flash占據(jù)主導(dǎo)地位。然而，兩者的價(jià)格走勢(shì)存在差異。此前，NAND Flash的價(jià)格自2023年下半年開(kāi)始一路上漲，而DRAM報(bào)價(jià)的漲幅相對(duì)較少。2023年12月，DRAM報(bào)價(jià)僅微幅調(diào)漲2%-3%，明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。

至于DRAM價(jià)格的漲幅是否會(huì)像NAND Wafer一樣強(qiáng)勁攀升，仍需觀察后續(xù)市場(chǎng)的需求情況。業(yè)界將持續(xù)關(guān)注這一動(dòng)態(tài)，并積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化和客戶需求，以確保業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)的穩(wěn)定性和盈利能力。

審核編輯：黃飛