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弱光成像前沿:PbS量子點在短波紅外區(qū)的單納米晶體光譜

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2024-01-11 06:32 ? 次閱讀
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圖1 單個PbS量子點在1250nm的閃爍圖畫

美國Los Alamos國際實驗室的 Han Htoon博士的團隊首次報道了PbS量子點在短波紅外(SWIR)區(qū)發(fā)射的單納米晶體光譜研究。他們利用普林斯頓儀器的NIRvana:640LN 相機(可通過液氮制冷至-190°C)和IsoPlane 320光譜儀,采集了PbS量子點在1250nm左右的單納米晶體光譜。

圖1兩張圖片實驗條件相同:室溫;激勵:cw405nm;功率密度:3w /mm2;積分時間:10秒;物鏡:50x/0.65NA。采用不同的二維InGaAs探測陣列相機得到,左邊為熱電冷卻相機拍攝圖片,右邊為低溫冷卻NIRvana:640LN拍攝照片。

Han Htoon博士表示,深度制冷的NIRvana相機的前所未有的長積分時間和低暗電流可以使其在該量子點的單納米晶體光譜實驗中達到其他InGaAs相機無法達到的對比度和靈敏度。

為近紅外/短波紅外設(shè)計的科研相機——NIRvana 相機

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圖2 NIRvana系列相機

NIRvana系列相機包括NIRvana、 NIRvana ST和 NIRvana LN,是市場上唯一專門為近紅外(NIR) /短波紅外(SWIR)成像和光譜應用而設(shè)計的科學級InGaAs相機。

NIRvana相機具有以下優(yōu)點:

1、超高的近紅外量子效率

在0.95 μm 到 1.5 μm 之間,量子效率> 85%

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2、超低的讀出噪聲和暗噪聲

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3、唯一采用冷屏設(shè)計的InGaAs產(chǎn)品

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冷屏與芯片保持相同的低溫,可以減少環(huán)境熱輻射。

審核編輯 黃宇

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