半導(dǎo)體2D材料的研究越來(lái)越深入了。

美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究人員展示了一種使用2D材料進(jìn)行3D集成的新穎方法。他們?cè)谧罱难芯恐性敿?xì)介紹了這一進(jìn)步，解決了將更多晶體管集成到越來(lái)越小的區(qū)域中所面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，這是半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，因?yàn)槠骷某叽绮粩嗫s小，同時(shí)需要增強(qiáng)的功能。

根據(jù)摩爾定律，芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)增加一倍，保證處理能力的提高，但也有限制。

當(dāng)今最強(qiáng)大的處理器在一個(gè)縮略圖大小的區(qū)域內(nèi)擁有大約 500 億個(gè)晶體管，在這個(gè)狹小的區(qū)域安裝更多晶體管的工作變得越來(lái)越困難。

該研究的共同通訊作者、工程科學(xué)與力學(xué)副教授 Saptarshi Das 及其同事在 2023 年 1 月 10 日發(fā)表在科學(xué)雜志《自然》上的一項(xiàng)研究中提出了一種解決方案：將3D集成與2D材料技術(shù)融合。

在半導(dǎo)體行業(yè)中，3D集成是指多層半導(dǎo)體元件的垂直堆疊。這種方法不僅可以更輕松地將更多硅基晶體管集成到芯片上，還可以使用二維材料制成的晶體管在不同層中整合不同的功能堆棧，這被稱(chēng)為“超越摩爾”。

通過(guò)研究，Saptarshi 和團(tuán)隊(duì)表明，除了擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)之外，還有通過(guò)單片 3D 集成實(shí)現(xiàn)“更多摩爾”和“超越摩爾”的實(shí)用方法。研究人員使用單片 3D 集成，直接在彼此之上構(gòu)建器件，而不是像過(guò)去那樣堆疊單獨(dú)制造的層。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究合著者兼研究生研究助理Najam Sakib表示，單片 3D 集成提供最高密度的垂直連接，因?yàn)樗灰蕾?lài)于兩個(gè)預(yù)先圖案化芯片的粘合（這需要將兩個(gè)芯片粘合在一起的微凸塊），因此有更多的空間來(lái)進(jìn)行連接。

然而，工程科學(xué)和力學(xué)研究生助理、該研究的共同通訊作者 Darsith Jayachandran 指出，單片 3D 集成存在重大問(wèn)題，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的硅元件會(huì)在加工溫度下熔化。Jayachandran表示，其中一項(xiàng)挑戰(zhàn)是硅基芯片后端集成的工藝溫度上限為450攝氏度，我們的單片 3D 集成方法將溫度降至200攝氏度以下。不兼容的工藝溫度預(yù)算使單片3D集成面臨挑戰(zhàn)，但2D材料可以承受該工藝所需的溫度。

該團(tuán)隊(duì)是第一個(gè)通過(guò)使用過(guò)渡金屬二硫?qū)倩铮ㄒ环N 2D半導(dǎo)體）創(chuàng)建 2D 晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)如此規(guī)模的單片3D集成的人。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究生研究助理Muhtasim Ul Karim Sadaf表示，它為我們的電子設(shè)備添加了新的有用功能，例如更好的傳感器、改進(jìn)的電池管理或其它特殊功能，使我們的工具更加智能和多功能。

3D集成垂直堆疊器件的能力也使更節(jié)能的計(jì)算成為可能，這解決了芯片上晶體管等微小組件的一個(gè)問(wèn)題：距離。

賓夕法尼亞州立大學(xué)研究通訊作者和研究生研究助理Rahul Pendurthi表示，通過(guò)將器件垂直堆疊在一起，可以縮短它們之間的距離，從而減少延遲和功耗。

研究人員還通過(guò)利用二維材料構(gòu)建的晶體管滿(mǎn)足了“超越摩爾”的要求。

二維材料的特殊光學(xué)和電學(xué)特性（例如光敏感性）使其非常適合用作傳感器。研究人員聲稱(chēng)，鑒于邊緣設(shè)備和鏈接設(shè)備的數(shù)量不斷增加，例如無(wú)線家庭天氣傳感器和在網(wǎng)絡(luò)邊緣收集數(shù)據(jù)的手機(jī)，這很有幫助。

該研究的合著者、工程科學(xué)與力學(xué)研究生助理 Muhtasim Ul Karim Sadaf 表示：我們不僅要讓芯片變得更小、更快，還要讓芯片具有更多功能。

研究人員指出，使用2D材料進(jìn)行3D集成還有更多好處。卓越的載流子遷移率是半導(dǎo)體材料的特性之一，它描述了電荷的傳輸方式。另一個(gè)是非常薄，這使得研究人員能夠?yàn)?D集成的每一層添加更多的計(jì)算能力和更多的晶體管。

該研究展示了大規(guī)模的3D集成，這與使用小規(guī)模原型的典型學(xué)術(shù)研究形成鮮明對(duì)比。Das聲稱(chēng)，這一成就縮小了學(xué)術(shù)界和企業(yè)之間的差距，并可以為企業(yè)利用賓夕法尼亞州立大學(xué)在二維材料方面的資源和經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行更多合作開(kāi)辟了道路。

賓夕法尼亞州立大學(xué)二維晶體聯(lián)盟 (2DCC-MIP)、國(guó)家用戶(hù)設(shè)施和美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì) (NSF) 材料創(chuàng)新平臺(tái)的科學(xué)家們生產(chǎn)的高質(zhì)量、晶圓級(jí)過(guò)渡金二硫化物的可用性，使得該研究成果實(shí)現(xiàn)規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)成為可能。

NSF 材料創(chuàng)新平臺(tái)項(xiàng)目總監(jiān) Charles Ying 補(bǔ)充道：“這一突破再次證明了材料研究作為半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)的重要作用。賓夕法尼亞州立大學(xué)二維晶體聯(lián)盟多年來(lái)為提高 2D 材料的質(zhì)量和尺寸所做的努力，使得實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的 3D 集成成為可能，可以為電子產(chǎn)品帶來(lái)變革?！?/p>

Das認(rèn)為，這只是技術(shù)進(jìn)步的開(kāi)始。

他指出：“我們能夠在晶圓級(jí)展示大量器件，這表明我們已經(jīng)能夠?qū)⑦@項(xiàng)研究轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體行業(yè)能夠認(rèn)可的規(guī)模。我們?cè)诿恳粚臃胖昧?30,000 個(gè)晶體管，這可能是一個(gè)創(chuàng)紀(jì)錄的數(shù)字。這使得賓夕法尼亞州立大學(xué)可以領(lǐng)導(dǎo)一些工作并與美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)合作推進(jìn)這項(xiàng)研究。”

審核編輯：劉清