本文來自“2023年半導體芯片行業(yè)系列研究——中國存儲芯片行業(yè)概覽”。中國存儲芯片行業(yè)此研究將會回答的關鍵問題：①存儲芯片的主要產品及分類依據(jù)?②存儲芯片應用于哪些領域?③存儲芯片行業(yè)的市場現(xiàn)狀?④存儲芯片行業(yè)的競爭格局如何?⑤存儲芯片行業(yè)有何發(fā)展趨勢?⑥存儲芯片廠商各自有何競爭優(yōu)勢?

存儲芯片又稱半導體存儲器，是電子數(shù)字設備用來存儲的重要部件；存儲芯片按照性能可分為易失性和非易失性兩種，其中DRAM存儲芯片和Flash存儲芯片是存儲芯片的主流產品口2022年，全球存儲芯片市場規(guī)模達到1,344.1億元，約占整體半導體產品的23.2%；存儲芯片是存儲器中的核心組成部分，其容量和速度直接影響存儲器的性能和功能。

DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計約占整體存儲器芯片市場的97%;自2022年初起，下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進一步惡化導致存儲芯片市場不斷承壓，存儲芯片價格持續(xù)下滑

近年來，國家出臺一系列政策強化儲存芯片等集成電路行業(yè)市場化和產業(yè)化引導，加強重點領域核心技術短板重點突破和集中攻關，有利于推動行業(yè)標準化、健康化、創(chuàng)新化發(fā)展

受全球宏觀經濟影響，2022年中國存儲芯片市場規(guī)模周期性下滑至828.4億美元；預計未來智能終端設備對數(shù)據(jù)存儲容量、穩(wěn)定性、壽命、運行速度等要求的提升，2027年市場規(guī)模將達到1,511.7億美元。

存儲芯片行業(yè)上游由設計工具、半導體材料、半導體設備構成，國產化率有待提升；中游存儲芯片頭部市場主要被國際廠商壟斷；下游應用領域較為廣泛，存儲容量需求持續(xù)增長。

EAD等設計工具市場集中度較高，市場由三大國際巨頭把控；2022年中國EDA市場規(guī)模約為110.5億元；硅片在半導體材料中占比最高，達35%;目前中國晶圓制造材料整體國產化率約為20%-30%。

NAND Flash的主要產品類型是垂直溝道3D結構搭配MLC和TLC顆粒類型；目前全球具備NAND Flash晶圓生產能力的廠商主要有三星電子、SK海力士、鎧俠等企業(yè)，行業(yè)集中度較高。

NAND Flash憑借其超高性價比逐漸成為主流閃存芯片，預計2025年其市場規(guī)模將達到932億美元；NAND Flash行業(yè)集中度較高，中國本土廠商正加速追趕三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等頭部企業(yè)。

為加速行業(yè)恢復供需平衡，三星、美光、SK海力士等頭部存儲廠商相繼縮減資本支出并降低產能利用率；西部數(shù)據(jù)和鎧俠加速合并，目前存儲芯片廠商主動去庫存效果顯著,庫存拐點逐漸顯現(xiàn)。

存儲芯片下游應用領域主要集中于移動終端、服務器、PC,2022年智能手機、PC等電子消費品市場需求出現(xiàn)疲軟現(xiàn)象，預計2022及2023年企業(yè)級服務器將支撐存儲芯片服務器應用需求占比將持續(xù)增長。

電子特氣行業(yè)競爭壁壘較高，進入行業(yè)的主要障礙在技術壁壘、資質壁壘、客戶認證壁壘、資金壁壘、服務壁壘、人才壁壘等方面均有體現(xiàn)。

德國林德集團、法國液化空氣、德國默克集團等海外企業(yè)在電子特氣細分領域起步較早，整體市場規(guī)模較大；中國本土的金宏氣體、派瑞特氣、華特氣體等電子特氣企業(yè)發(fā)展迅速，國產替代進程不斷深入。

全球電子特氣頭部企業(yè)被德國、韓國、日本等發(fā)達國家占據(jù)；中國電子特氣行業(yè)競爭較為分散，2021年派瑞特氣的電子特氣收入位列全球第九名，其毛利率水平最高；南大光電研發(fā)費用占比最高。