英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大碳化硅晶合作，滿足市場需求
英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發(fā)表聲明，延長并擴(kuò)大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應(yīng)合同。該合作內(nèi)容還包含了一份多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。
這份新協(xié)議將增強(qiáng)英飛凌整體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以應(yīng)對汽車、太陽能和電動汽車等多領(lǐng)域快速增長的碳化硅晶圓產(chǎn)品需求。
目前，碳化硅（SiC）在高電壓（超過800伏）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展勢頭強(qiáng)勁，尤其是在電動汽車領(lǐng)域表現(xiàn)突出。由于巨大的市場潛力，SiC已經(jīng)成為了先進(jìn)功率器件的代表。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2559瀏覽量
143128 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3537瀏覽量
52644 -
Wolfspeed
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
102瀏覽量
8911
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
技術(shù)突圍與市場破局：碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
，市場對高性能內(nèi)膽的需求缺口正在放大。國內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)已開始布局，例如海合精密陶瓷有限公司等具備先進(jìn)陶瓷制備能力的廠商，正通過優(yōu)化氮化硅-碳化硅復(fù)合材料的配方與燒結(jié)工藝，力圖在保
發(fā)表于 03-20 11:23
Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺
全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于近日宣布，Wolfspeed 300mm 碳化硅 (SiC) 技術(shù)平臺可在這十年內(nèi)成為支撐先進(jìn)人
Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓
球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 mm（12英寸）碳化硅晶圓。憑借著
破局300mm！Wolfspeed碳化硅晶圓取得關(guān)鍵突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 美國東部時(shí)間2026年1月13日，全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米（12英寸）碳化硅晶圓，標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體材料迎來
Wolfspeed碳化硅器件推動豐田公司純電動汽車發(fā)展
展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，憑借提升的效率和性能，助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略，推動純電動汽車發(fā)展。
Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
傾佳電子AIDCc的HVDC革命：市場需求、架構(gòu)演進(jìn)與碳化硅的崛起
傾佳電子AIDC數(shù)據(jù)中心的HVDC革命：市場需求、架構(gòu)演進(jìn)與碳化硅的崛起 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動，12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件，但功率器件市場需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長，除了技術(shù)原因之外，
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中，我們
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用
全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)
Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MO
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機(jī)遇。
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為
碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價(jià)的真相
在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
評論