意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝，支持嵌入式相變存儲器
3 月 21 日，全球著名半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體攜手韓國科技巨頭三星共同發(fā)布，18nm FD-SOI 工藝正式落地，該技術(shù)將集成嵌入式相變存儲器（EPCM）。
據(jù)悉，F(xiàn)D-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
值得注意的是，盡管制程僅為 18nm，但此項(xiàng)工藝依然保證了各種模擬功能如電源管理及復(fù)位系統(tǒng)在 3V 電壓環(huán)境中正常運(yùn)行。另外在耐熱性、防輻射性能方面都有出色表現(xiàn)，適用于各類嚴(yán)苛的工業(yè)領(lǐng)域。
按照計劃，首批基于該工藝平臺開發(fā)的 STM32 MCU 將在下半年投放到選定客戶群，預(yù)計 2025 年下半年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。
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發(fā)表于 04-18 10:52
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