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流量控制器在半導(dǎo)體加工工藝化學(xué)氣相沉積(CVD)的應(yīng)用

科技技術(shù) ? 來(lái)源:科技技術(shù) ? 作者:科技技術(shù) ? 2024-03-28 14:22 ? 次閱讀
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薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來(lái)鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD),其中CVD工藝設(shè)備占比更高。

化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡(jiǎn)稱CVD)是利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上發(fā)生反應(yīng)生成固態(tài)沉積物的過(guò)程。

化學(xué)氣相沉積過(guò)程分為三個(gè)重要階段:反應(yīng)氣體向基體表面擴(kuò)散、反應(yīng)氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。最常見的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)有:熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)和化學(xué)傳輸反應(yīng)等。

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在半導(dǎo)體CVD工藝中,通常會(huì)使用一種或多種前體氣體,這些氣體在反應(yīng)室中通過(guò)化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生固態(tài)薄膜材料,然后沉積在半導(dǎo)體晶片表面。CVD工藝可以通過(guò)熱CVD、等離子CVD、金屬有機(jī)CVD等不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

其中常見的氣體包括:二氧化硅前體氣體(如二氧化硅醚、氯硅烷)、氮?dú)狻睔?、硅源氣體(如三甲基硅烷、三氯硅烷)、氫氣等。對(duì)于不同的前體氣體,需要能夠精確地控制其流量,以確保反應(yīng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

比如:在典型的 MOCVD 設(shè)置中,位于單獨(dú)溶液室中的液態(tài)金屬有機(jī)前驅(qū)體根據(jù)需要進(jìn)行溫和加熱,噴射或鼓泡以溶解前驅(qū)體氣體,并通過(guò)高純度載氣(通常是氮?dú)饣驓錃猓┩ㄟ^(guò)流量控制器輸送到 MOCVD 反應(yīng)器中。受控閃蒸器。該輸送管線的溫度受到精確控制,以避免前體在引入 MOCVD 反應(yīng)器之前發(fā)生冷凝或過(guò)早反應(yīng)。前驅(qū)體與高純度反應(yīng)氣體一起流過(guò)特殊的孔口歧管,該孔口歧管旨在在加熱的基材上提供均勻的沉積和厚度。

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MFC質(zhì)量流量控制器在CVD設(shè)備中的重要性:

MFC(質(zhì)量流量控制器)被廣泛應(yīng)用于控制和監(jiān)測(cè)各種氣體的流量。其中在CVD的應(yīng)用:

流量控制:MFC對(duì)于CVD設(shè)備的運(yùn)行至關(guān)重要。它能夠精確地測(cè)量和調(diào)節(jié)進(jìn)入反應(yīng)室的流量,以確保反應(yīng)氣體的準(zhǔn)確供應(yīng)。這對(duì)于控制薄膜厚度以及避免因流量變化引起的薄膜不均勻性至關(guān)重要。

穩(wěn)定性監(jiān)控:MFC可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流體的流量變化,從而確保CVD過(guò)程的穩(wěn)定性和一致性。這種監(jiān)控有助于及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決設(shè)備故障和維護(hù)設(shè)備性能。

程序控制:MFC可以通過(guò)預(yù)設(shè)程序來(lái)控制流體的流量變化,從而實(shí)現(xiàn)CVD過(guò)程的自動(dòng)化和程序化。這有助于提高生產(chǎn)效率并減少人為操作錯(cuò)誤。

下面來(lái)自工采傳感(ISWEEK)代理美國(guó)SIARGO的一款高精度,量程范圍寬可選的流量控制器MFC2000系列。

MFC2000系列質(zhì)量流量控制器采用公司專有的MEMS Thermal-D操作"“熱量傳感技術(shù)與智能控制電子設(shè)備,這種獨(dú)特的質(zhì)量流量傳感技術(shù)消除了一些擴(kuò)散率相似的氣體的氣體敏感性,并允許在編程后進(jìn)行氣體識(shí)別。本產(chǎn)品可用干動(dòng)態(tài)范圍為100:1的過(guò)程控制,其控制范圍為0.1至0.8MPa(15至120 PSL)的壓力和0至50℃的補(bǔ)償溫度。量程在50mL/min到200L/min不同范圍可選,帶有數(shù)字RS485 Modbus通信模擬輸出。

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該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)便于更換機(jī)械連接器,標(biāo)準(zhǔn)連接器可選雙卡套、VCR或UNF,其他定制連接器可根據(jù)要求提供。SIARGO的MFC2000流量控制器在CVD設(shè)備中具有很重要的作用,可以精準(zhǔn)測(cè)量和控制 氣體的大小,可以很好的實(shí)現(xiàn)高溫度、高精度、高分辨的薄膜沉積過(guò)程。

審核編輯 黃宇

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