3月24日，SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺受邀出席本次大會(huì)，并在會(huì)上做主題演講。



邱紹諺博士分享的報(bào)告主題為《氮化鎵功率器件：發(fā)展和挑戰(zhàn)》，他首先為與會(huì)嘉賓介紹了氮化鎵市場(chǎng)格局與應(yīng)用場(chǎng)景。邱博士認(rèn)為，GaN材料可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、車載電子和數(shù)據(jù)中心，21-27年復(fù)合增長(zhǎng)率有望達(dá)到59%。在技術(shù)發(fā)展方面，目前GaN功率器件集中在650V及以下，未來將往高擊穿電壓、高功率密度和高集成度方向發(fā)展。在器件結(jié)構(gòu)方面，水平式功率氮化鎵器件是當(dāng)下的主流結(jié)構(gòu)，垂直式功率氮化鎵器件將有巨大發(fā)展?jié)摿Α?br />
京東方華燦光電氮化鎵電力電子堅(jiān)持水平式和垂直式功率氮化鎵器件并進(jìn)的研發(fā)路線，產(chǎn)品將逐步從650V向900V，再到1200V的路徑發(fā)展，并會(huì)規(guī)劃低壓產(chǎn)品以擴(kuò)充產(chǎn)品線，預(yù)計(jì)24年底面向終端推廣。目前，京東方華燦已經(jīng)有5*6 DFN , 8*8DFN(D-mode），8*8DFN（CASCODE），有望將來應(yīng)用到多家主流消費(fèi)終端品牌。其自研的GaN器件擁有出色的熱阻效率，GaN on Sapphire最低可達(dá)到0.85℃/W，達(dá)到國(guó)際一流水準(zhǔn)。

展望未來，隨著消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)快充需求越來越高、AI及數(shù)據(jù)中心的發(fā)展以及新能源汽車替換的加快，氮化鎵半導(dǎo)體功率市場(chǎng)有望迎來爆發(fā)式的增長(zhǎng)。京東方華燦光電作為最早一批入局氮化鎵領(lǐng)域的玩家，將和產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴一起，為消費(fèi)者提供更加優(yōu)異的氮化鎵器件產(chǎn)品，助力構(gòu)建美好生活。

審核編輯：劉清