基本半導(dǎo)體獲新專利：功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備
據(jù)最新消息，深圳基本半導(dǎo)體有限公司近日獲得一項(xiàng)名為“功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備” 的新型專利，其編號(hào)為 CN117276226B，公示日期為 2024 年 4 月 16 日，提交日期為 2023 年 11 月 1 日。
該專利主要涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種全新的功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備設(shè)計(jì)方案。其中，功率模塊由絕緣基板和半橋結(jié)構(gòu)組成，半橋結(jié)構(gòu)包含相互間隔的第一負(fù)載軌道、第二負(fù)載軌道、第一直流負(fù)極區(qū)域和第二直流負(fù)極區(qū)域。第一負(fù)載軌道由第一上橋臂區(qū)域、直流正極區(qū)域和第二上橋臂區(qū)域依次相連而成；第二負(fù)載軌道則由第一下橋臂區(qū)域、交流區(qū)域和第二下橋臂區(qū)域依次相連而成。值得注意的是，第一下橋臂區(qū)域位于第一直流負(fù)極區(qū)域與交流區(qū)域之間，第二下橋臂區(qū)域則位于第二直流負(fù)極區(qū)域與交流區(qū)域之間。
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