江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月投產(chǎn)
據(jù)“金龍湖發(fā)布”公眾號(hào)消息，目前，江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目機(jī)電安裝工作已進(jìn)入后期收尾階段。相關(guān)負(fù)責(zé)人稱(chēng)，后續(xù)重要工作將是吊頂完成，各系統(tǒng)的追位、調(diào)試，以及生產(chǎn)輔助用房建設(shè)和地面硬化等，力保6月前完成調(diào)試，6月3日順利竣工交付。
據(jù)悉，天科合達(dá)二期項(xiàng)目作為省級(jí)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，總投資8.3億元，建筑面積約5萬(wàn)平方米，包括標(biāo)準(zhǔn)化廠房、?；瘞?kù)、固體庫(kù)等設(shè)施。計(jì)劃購(gòu)置安裝單晶生長(zhǎng)爐及配套設(shè)備合計(jì)647臺(tái)（套），新建碳化硅晶片襯底制備生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬(wàn)片，將為徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)集成電路與ICT產(chǎn)業(yè)集群提供重要支撐。
據(jù)了解，江蘇天科合達(dá)是北京天科合達(dá)全資子公司。北京天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。此次二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)后，天科合達(dá)徐州基地碳化硅晶片年產(chǎn)能將達(dá)到23萬(wàn)片、年產(chǎn)值10億元以上。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
413瀏覽量
32885 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3455瀏覽量
52262
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
森國(guó)科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管
深圳市森國(guó)科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管，這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力。
12英寸碳化硅外延片突破！外延設(shè)備同步交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑，可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱?dòng)汽車(chē) (EV
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì)，在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等
江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?
，標(biāo)志著江蘇集芯在第三代半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域再下一城，也為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控寫(xiě)下關(guān)鍵一筆。 碳化硅晶體是第三代半導(dǎo)體的重要基礎(chǔ)材料，在6/8 英寸物理氣相傳輸法（PVT）已實(shí)現(xiàn)量
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
發(fā)表于 06-25 09:13
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)？
碳化硅直播季首場(chǎng)直播收獲了過(guò)萬(wàn)的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個(gè)核心戰(zhàn)場(chǎng)，第二期就必須得火力全開(kāi)，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到極致。7
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗，更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問(wèn)題體現(xiàn)在三個(gè)維度： 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴(lài)6英寸晶圓技術(shù)，8英寸量產(chǎn)計(jì)劃因良率不足陷入僵局，而中國(guó)天科合
12英寸碳化硅襯底，又有新進(jìn)展
尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開(kāi)始逐漸落地，一些頭部的襯底廠商已經(jīng)開(kāi)始批量出貨。 ? 而在去年11月，
麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項(xiàng)目問(wèn)題
作為某新能源車(chē)企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師，我的日?？偫@不開(kāi)碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱(chēng)“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形，讓我誤以為
發(fā)表于 04-15 14:14
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更優(yōu)
發(fā)表于 04-08 16:00
碳化硅跟AR眼鏡是怎么聯(lián)系到一起的？
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達(dá)與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司，雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)
SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象
結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC
三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線
三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司，簡(jiǎn)稱(chēng)安意法)，全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論