總投資200億元，武漢長飛先進半導體基地項目迎來新進展
據中建一局官微消息，近日，國內最大的SIC功率半導體制造基地——武漢長飛先進半導體基地項目成功完成首榀桁架吊裝，標志著項目鋼結構施工全面展開，助力武漢打造世界級化合物半導體產業(yè)高地。
據悉，長飛先進武漢基地項目位于湖北省武漢市，總投資200億元。其中，一期已于2023年9月開工，預計今年6月封頂，2025年上半年形成產能。完工后將成為國內碳化硅產能前列，集產品設計、外延生長、晶圓制造、封裝測試于一體，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造標桿工廠。建成后預計年產6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片、功率器件模塊6100萬個，將廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網等領域。
長飛先進董事長莊丹曾表示，該項目建成后，將促進設備、材料、設計、制造、封裝、測試等產業(yè)鏈上下游通力合作，吸引世界級碳化硅半導體高端人才來武漢就業(yè)創(chuàng)業(yè)，助力形成創(chuàng)新活躍、要素齊全、開放協同的產業(yè)生態(tài)。
審核編輯 黃宇
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