河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目
5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。
據(jù)了解，此次簽約項(xiàng)目涉及鋰電池、半導(dǎo)體等新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。V觀澠池報(bào)道稱，該項(xiàng)目總投資額達(dá)10億元人民幣，包括年產(chǎn)2.5萬片碳化硅導(dǎo)電型襯底加工產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及年產(chǎn)40萬片砷化鎵晶體及襯底加工制造項(xiàng)目。
前者將建設(shè)6/8英寸碳化硅襯底研發(fā)及生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)2.5萬片的綜合產(chǎn)能；后者則計(jì)劃占地1.2萬平方米，建設(shè)砷化鎵晶體及襯底加工的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用生產(chǎn)線及相關(guān)配套設(shè)施。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30646瀏覽量
263603 -
砷化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
179瀏覽量
20283 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3456瀏覽量
52265
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
從襯底到外延：碳化硅材料的層級(jí)躍遷與功能分化
碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體
碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì)與未來展望
摘要
本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測(cè)量技術(shù)，剖析其在精度提升、設(shè)備小型化及智能化測(cè)量等方面的最新發(fā)展趨勢(shì)，并對(duì)未來在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動(dòng)
探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧
摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究
理論依據(jù)。
引言
在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅襯底的質(zhì)量對(duì)芯片性能和良率起著決定性作用，晶圓總厚度變化（TTV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵
【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析
本文通過對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性價(jià)比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程
，為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運(yùn)行提供支持。
引言
在碳化硅半導(dǎo)體制造過程中，TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)是評(píng)估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而，受測(cè)量設(shè)備性能波動(dòng)、環(huán)境變化、樣品特性
激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略
提供理論與技術(shù)支持。
引言
隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛，晶圓總厚度變化（TTV）作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)，其精確測(cè)量至關(guān)重要。激光干涉法
【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問題
摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性，為
碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型
支撐。
一、引言
碳化硅憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為第三代半導(dǎo)體材料的核心。在其襯底加工環(huán)節(jié)，切割是關(guān)鍵工序。切割進(jìn)給量直接影響切割效率與材料
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言
在碳化硅襯底加工過程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率
CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示
中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：? 一、從壟斷到突破：
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論