NDFP03N150CG 是一款高性能功率MOSFET，由安森美 (onsemi) 生產(chǎn)，采用 TO-220 封裝。屬于 MOSFET 類別，符合 RoHS 標準，安裝風(fēng)格為 Through Hole。具有以下技術(shù)特性：

漏源極擊穿電壓 (Vds): 1.5 kV

連續(xù)漏極電流 (Id): 2.5 A

漏源導(dǎo)通電阻 (Rds On): 10.5 Ohms

柵極-源極電壓 (Vgs): -30 V, +30 V

柵極電荷 (Qg): 34 nC

功率耗散 (Pd): 32 W

最小工作溫度: -55°C

最大工作溫度: +150°C

下降時間: 44 ns

上升時間: 20 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 148 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

配置: 單通道

通道模式: 增強型

應(yīng)用場景探索

光伏

NDFP03N150CG 元器件通過其低導(dǎo)通電阻和高頻特性，在太陽能光伏逆變器中起到關(guān)鍵作用，實現(xiàn)直流到交流的高效轉(zhuǎn)換，提高了太陽能電池板的能源利用率。

UPS (不間斷電源)

在UPS設(shè)備中，NDFP03N150CG 元器件的高溫穩(wěn)定性和耐壓特性確保設(shè)備在電力波動或中斷時的穩(wěn)定運行，為設(shè)備提供持續(xù)的電源保護，保障用戶設(shè)備不受電力故障的影響。

焊接機

NDFP03N150CG 元器件的低導(dǎo)通電阻和高溫特性使其成為焊接設(shè)備的理想選擇，提供穩(wěn)定的功率輸出，確保設(shè)備在長時間高負載工作下的穩(wěn)定性和可靠性。

通訊設(shè)備

在通訊設(shè)備中，NDFP03N150CG 元器件通過其高頻特性和低損耗特點，實現(xiàn)對信號的高效放大和傳輸，保障設(shè)備的信號質(zhì)量和傳輸速率，推動了通訊技術(shù)的發(fā)展。

結(jié)論

總的來說，NDFP03N150CG 元器件作為一款高性能功率MOSFET，在太陽能行業(yè)、UPS、焊接機和通訊設(shè)備等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。其卓越的技術(shù)特性和可靠性能，為這些行業(yè)的設(shè)備提供了強大的支持，推動了這些領(lǐng)域的發(fā)展與進步。（買正品onsemi電子元器件上安瑪芯城）

審核編輯 黃宇