我們可以很容易地使用FET和晶體來(lái)產(chǎn)生頻率作為低壓晶體振蕩器電路，1.5V-10V電源。

它只能在 1.5 V 的電源電壓和 100 kHz 至 10 MHz 的晶振頻率下工作。

晶體連接到 FET-T1 BF256 的漏極和柵極之間。它以并聯(lián)線圈形式在共振模式下運(yùn)行。

電感L1的頻率穩(wěn)定性更好，可以在很寬的頻率范圍內(nèi)使用晶體，雖然晶體不合適，但也可以工作。

使用FET的低壓晶體振蕩器電路

電容器 C1 與晶體連接，作為 180 度返回相位的“填充物”，到 FET 的輸入端。輸出將由 T2 緩沖。

該設(shè)計(jì)電路經(jīng)過(guò)測(cè)試，可在 100 kHz、1 MHz、4 MHz、8 MHz 和 10 MHz 的頻率下運(yùn)行，最低電壓僅為 1.5 V。

您需要的零件

T1：BF256 FET 晶體管

T2：BC147 NPN 晶體管

C1：1nF 50V （0.001uF） 陶瓷電容器

C2：22nF 50V （0.022uF） 陶瓷電容器

X‘t：100K-10MHz 晶振

R1：4.7M 0.25W電阻

R2：220歐姆 0.25W電阻

審核編輯：陳陳