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新思科技攜手英特爾推出可量產(chǎn)Multi-Die芯片設(shè)計解決方案

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 2024-07-16 09:42 ? 次閱讀
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新思科技人工智能AI)驅(qū)動型多裸晶芯片(Multi-die)設(shè)計參考流程已擴展至英特爾代工(Intel Foundry)的EMIB先進封裝技術(shù),可提升異構(gòu)集成的結(jié)果質(zhì)量;

新思科技3DIC Compiler是一個從探索到簽核的統(tǒng)一平臺,可支持采用英特爾代工EMIB封裝技術(shù)的多裸晶芯片協(xié)同設(shè)計;

新思科技用于多裸晶芯片設(shè)計的IP支持高效的芯片到芯片(die-to-die)連接和高內(nèi)存帶寬要求。

新思科技(Synopsys)近日宣布推出面向英特爾代工EMIB先進封裝技術(shù)的可量產(chǎn)多裸晶芯片設(shè)計參考流程,該流程采用了Synopsys.ai EDA全面解決方案和新思科技IP。該經(jīng)過優(yōu)化的參考流程提供了一個統(tǒng)一的協(xié)同設(shè)計與分析解決方案,通過新思科技3DIC Compiler加速從芯片到系統(tǒng)的各個階段的多裸晶芯片設(shè)計的探索和開發(fā)。此外,新思科技3DSO.ai與新思科技3DIC Compiler原生集成,實現(xiàn)了信號電源和熱完整性的優(yōu)化,極大程度地提高了生產(chǎn)力并優(yōu)化系統(tǒng)性能。

隨著帶寬需求飆升至全新高度,許多公司正在加速轉(zhuǎn)向多裸晶芯片設(shè)計,以提高其人工智能(AI)和高性能計算(HPC)應(yīng)用的處理能力和性能。我們與英特爾代工長期深入合作,面向其EMIB封裝技術(shù)打造可量產(chǎn)的AI驅(qū)動型多裸晶芯片設(shè)計參考流程,為我們的共同客戶提供了全面的解決方案,助力他們成功開發(fā)十億至萬億級晶體管的多裸晶芯片系統(tǒng)。

Sanjay Bali

EDA事業(yè)部戰(zhàn)略與產(chǎn)品管理副總裁

新思科技

應(yīng)對多裸晶芯片架構(gòu)在設(shè)計和封裝上的復(fù)雜性,需要采用一種全面整體的方法來解決散熱、信號完整性和互連方面的挑戰(zhàn)。英特爾代工的制造與先進封裝技術(shù),結(jié)合新思科技經(jīng)認證的多裸晶芯片設(shè)計參考流程和可信IP,為開發(fā)者提供了一個全面且可擴展的解決方案,使他們能夠利用英特爾代工EMIB封裝技術(shù)來快速實現(xiàn)異構(gòu)集成。

Suk Lee

副總裁兼生態(tài)系統(tǒng)技術(shù)辦公室總經(jīng)理

英特爾代工

面向多裸晶芯片設(shè)計的AI驅(qū)動型EDA參考流程和IP

新思科技為快速異構(gòu)集成提供了一個全面且可擴展的多裸晶芯片系統(tǒng)解決方案。該從芯片到系統(tǒng)的全面解決方案可實現(xiàn)早期架構(gòu)探索、快速軟件開發(fā)和系統(tǒng)驗證、高效的芯片和封裝協(xié)同設(shè)計、穩(wěn)健的芯片到芯片連接,以及更高的制造和可靠性。新思科技3DIC Compiler是該多裸晶芯片系統(tǒng)解決方案的關(guān)鍵組成部分,它與Ansys RedHawk-SC Electrothermal多物理場技術(shù)相結(jié)合,解決了2.5D/3D多裸晶芯片設(shè)計中關(guān)鍵的供電和散熱的簽核問題,已經(jīng)被多位全球領(lǐng)先科技客戶采用。此外,該解決方案還可通過針對2.5D和3D多裸晶芯片設(shè)計的自主AI驅(qū)動型優(yōu)化引擎新思科技3DSO.ai,迅速地大幅提升系統(tǒng)性能和成果質(zhì)量。

目前,新思科技正在面向英特爾代工工藝技術(shù)開發(fā)IP,提供構(gòu)建多裸晶芯片封裝所需的互連,降低集成風(fēng)險并加快產(chǎn)品上市時間。相較于傳統(tǒng)的手動流程,新思科技IP和新思科技3DIC Compiler相結(jié)合可以提供自動布線、中介層研究和信號完整性分析,從而減少工作量高達30%,并提升成果質(zhì)量15%(以裕度衡量)。

上市時間和更多資源

該參考流程現(xiàn)已上市,可通過英特爾代工或新思科技獲取。

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原文標(biāo)題:效率↑30%,結(jié)果質(zhì)量↑15%,新思科技攜手英特爾推出可量產(chǎn)Multi-Die芯片設(shè)計解決方案

文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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