chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下一代XR設備市場

要長高 ? 2024-07-18 15:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,韓媒ZDNet Korea報道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器(XR設備)訂單做好充分準備。這一舉措標志著三星在高端智能設備內(nèi)存領(lǐng)域的雄心壯志,以及其對市場格局重塑的堅定決心。

LLW DRAM,全稱為Low Latency Wide I/O DRAM,是一種專為高性能需求設計的特殊內(nèi)存。其最顯著的特點在于擁有數(shù)量眾多的I/O引腳,從而實現(xiàn)了高帶寬、低延遲和低功耗的完美結(jié)合。三星電子宣稱,其LLW DRAM內(nèi)存產(chǎn)品能夠達到驚人的128GB/s帶寬,同時保持極低的能耗,僅為1.2pJ/bit。這一技術(shù)突破不僅將顯著提升設備的響應速度和整體效率,還將為用戶帶來前所未有的流暢體驗。

值得注意的是,目前蘋果Vision Pro頭顯上的關(guān)鍵內(nèi)存組件正是由SK海力士獨家供應的LLW DRAM內(nèi)存。這款內(nèi)存單顆容量達到1GB,I/O引腳數(shù)量更是傳統(tǒng)內(nèi)存的八倍,以LPDDR5內(nèi)存的64bit為基礎(chǔ),其位寬可達512bit,提供了高達256GB/s的帶寬。然而,盡管SK海力士已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)先機,但三星電子并未放棄競爭,反而加快了LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)步伐,目前正處于小規(guī)模生產(chǎn)階段,目標直指從SK海力士手中奪取市場份額。

據(jù)悉,三星與蘋果之間在LLW DRAM供應問題上早有接觸。早在2022年,雙方就曾就這一問題進行過深入洽談,但最終SK海力士贏得了這份訂單。然而,這并未阻止三星繼續(xù)推進LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)。相反,三星正利用其在半導體領(lǐng)域的深厚積累和技術(shù)優(yōu)勢,不斷縮小與SK海力士的差距,并致力于在未來市場中占據(jù)更有利的位置。

對于消費者而言,LLW DRAM內(nèi)存的引入無疑將帶來更加出色的產(chǎn)品體驗。無論是圖形密集型應用還是日常任務處理,這款新型內(nèi)存都將顯著提升設備的響應速度和多任務處理能力。此外,隨著XR設備的普及和應用領(lǐng)域的不斷拓展,LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)還將在AI邊緣計算、智能手機、筆記本電腦和汽車等多個領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

綜上所述,三星電子正積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存技術(shù),旨在為未來蘋果下一代XR設備訂單做好準備。這一舉措不僅展現(xiàn)了三星在高端智能設備內(nèi)存領(lǐng)域的強大實力和技術(shù)優(yōu)勢,也預示著智能設備市場即將迎來一場技術(shù)革新風暴。對于消費者而言,這無疑是一個令人期待的好消息。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182904
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    3174

    瀏覽量

    76147
  • 智能設備
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    1144

    瀏覽量

    53099
  • XR
    XR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    411

    瀏覽量

    10409
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    三星出擊!首款XR頭顯Galaxy XR登場,AI智能眼鏡蓄勢待發(fā)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近日,三星推出首款混合現(xiàn)實頭顯——Galaxy XR,由此正式進軍XR(擴展現(xiàn)實)市場。該設備售價1800美元
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:15 ?4669次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>出擊!首款<b class='flag-5'>XR</b>頭顯Galaxy <b class='flag-5'>XR</b>登場,AI智能眼鏡蓄勢待發(fā)

    蘋果折疊iPhone定檔2026,三星獨供OLED面板

    近日,據(jù)報道,蘋果公司計劃于2026年正式推出其首款可折疊iPhone,這款備受期待的設備將采用7.6英寸內(nèi)折式設計,標志著蘋果正式進軍可折疊設備
    的頭像 發(fā)表于 10-09 17:32 ?553次閱讀

    三星最新消息:三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會被征收100%關(guān)稅

    給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息: 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報道,三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:24 ?1244次閱讀

    外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達成合作,共同研發(fā)下一代汽車芯片

    據(jù)外媒 SAMMobile 報道,三星已與英飛凌(Infineon)和恩智浦(NXP)達成合作,共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉, 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ,重點是“優(yōu)化內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 06-09 18:28 ?856次閱讀

    回收三星S21紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21紋排線,收購適用于三星S21紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第DR
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星調(diào)整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產(chǎn)

    據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設計進行重大調(diào)整。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 16:42 ?1250次閱讀

    三星進軍玻璃基板市場,尋求供應鏈合作

    近日,三星電子宣布了項重要計劃,即進軍半導體玻璃基板市場。據(jù)悉,三星電子正在積極與多家材料、零部件、
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:32 ?858次閱讀

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設計第五10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這否認引發(fā)了業(yè)界對
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?896次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1321次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?952次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這變動可能對
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?1063次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    nm DRAM。 這新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這命名邏輯與三星此前推出的第六
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1348次閱讀

    下一代FOPLP基板,三星續(xù)用塑料,臺積青睞玻璃

    近期Digitimes報道指出,在下一代扇出型面板級封裝(FOPLP)解決方案所使用的材料方面,三星和臺積電走上了條明顯的分歧之路。 據(jù)《電子時報》報道,三星堅持使用塑料,而臺積電則
    的頭像 發(fā)表于 12-27 13:11 ?828次閱讀

    谷歌與三星聯(lián)合發(fā)布Android XR操作系統(tǒng)

    谷歌與三星近日攜手宣布,共同推出了全新的操作系統(tǒng)——Android XR。這系統(tǒng)專為頭戴式裝置和智能眼鏡等下一代計算設備提供技術(shù)支持,旨在
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:08 ?832次閱讀