IGBT/SiC等功率器件是光伏逆變器的核心半導體部件，負責實現(xiàn)直流-交流轉(zhuǎn)換過程中的高頻開關(guān)操作，性能的好壞直接影響光伏發(fā)電效率、功率密度和可靠性，而其所具備的如過壓保護、過流保護、短路保護等功能，確保系統(tǒng)在異常情況下能夠快速響應(yīng)，避免設(shè)備損壞。

安森美（onsemi）為光伏市場提供一系列獨特的解決方案，幫助客戶應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。

01 SiC MOSFET和IGBT技術(shù)：

安森美針對光伏逆變器設(shè)計提供了多款高性能碳化硅以及最新第七代 IGBT產(chǎn)品FS7，包括650V和1200V的SiC MOSFET和SiC二極管，混合SiC模塊和全SiC模塊配合最新的F5BP封裝產(chǎn)品, 用于300kW+ 組串式逆變器，有助于提高系統(tǒng)功率密度與轉(zhuǎn)換效率，降低整體系統(tǒng)成本。

最新的第 7 代 1200V QDual3 IGBT 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率，應(yīng)用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類最接近的競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸，支持客戶在相同系統(tǒng)尺寸下，設(shè)計出發(fā)電能力更強的太陽能逆變器，并提供了一種即插即用的解決方案，即刻實現(xiàn)系統(tǒng)性能和能效的提升。

02 智能電源技術(shù)：

安森美的智能電源技術(shù)支持新一代的150kw智能商用逆變器，有助于提升市場占有率；

03 高能效封裝:

安森美的IGBT FS7和Elite SiC MOSFET技術(shù)及高能效封裝有助于推動產(chǎn)品力的發(fā)展；

04 定制化解決方案:

安森美提供定制化解決方案，助力客戶實現(xiàn)最高能效的太陽能電池組；

05 垂直整合的SiC方案:

安森美提供從襯底到模塊的端到端SiC方案，包括SiC晶球生長、襯底、外延、器件制造、集成模塊和分立封裝方案；

06 全球制造和支持能力:

安森美擁有全球領(lǐng)先的制造規(guī)模以及供應(yīng)和支持能力，能夠滿足不同市場的需求。

安森美的IGBT/SiC等功率器件廣泛應(yīng)用光伏領(lǐng)域，并得到了客戶的高度認可。近日，安森美IGBT/SiC等功率器件已入圍維科杯·OFweek 2024卓越光伏零部件及配套品牌獎項，期待您的一票。

OFweek 2024 (第十五屆) 太陽能光伏產(chǎn)業(yè)大會暨行業(yè)年度評選頒獎典禮將于2024年8月27日在中國·深圳隆重舉辦，現(xiàn)在為網(wǎng)上投票階段。