引言：某些功放產(chǎn)品（例如GaN功放），需要負電平精準控制功放的柵極電壓。本文介紹一種簡單的柵壓控制方案，采用乾鴻微電子HS102EO型高速SPDT模擬開關進行柵壓控制和高速切換。

HS102EO型低壓高速單刀雙擲(SPDT)模擬開關是由深圳市乾鴻微電子有限公司自主設計，并基于國內代工廠工藝流片的模擬集成電路產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于CMOS工藝設計，可在2.5V~5.5V的電源范圍內工作，除了常規(guī)的正電源應用外，還可以實現(xiàn)負電源的應用，具體應用電路圖如下所示。

HS102負壓應用電路圖

VDD端口接最高電平0V，GND端口接負電源-5V，控制端口IN給的信號是-5V~0V的方波，就以實現(xiàn)對S1和S2導通狀態(tài)的控制。當IN端的信號為0V時，通道S1導通，S2關斷；當IN端的信號為-5V時，通道S2導通，S1關斷，導通真值表如下所示。

HS102EO導通真值表

VDD端接0V，GND端接-5V時，控制端IN的邏輯高低電平的推薦值如下：

HS102EO型單刀雙擲模擬開關在此種電路應用下，就可以實現(xiàn)對電壓范圍為-5V~0V的傳輸信號導通和關斷情況的控制。適用于一些需要切換傳輸負壓信號的通信、視頻、音頻等應用場合或一些負壓信號處理系統(tǒng)。

該產(chǎn)品采用塑封 SOT23-6L，工業(yè)級，工作溫度范圍為-40℃~125℃。若需要其他質量等級或不同封裝的產(chǎn)品，請與我司聯(lián)系。