近日，長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“長飛先進(jìn)”）與懷柔實(shí)驗(yàn)室在北京聯(lián)合舉辦了碳化硅項(xiàng)目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式，標(biāo)志著雙方在推動(dòng)碳化硅功率器件先進(jìn)技術(shù)研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次合作不僅是對雙方技術(shù)實(shí)力與戰(zhàn)略眼光的認(rèn)可，更是對全球能源綠色低碳轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的有力支持。

懷柔實(shí)驗(yàn)室，作為國家戰(zhàn)略科技力量的核心成員，憑借其獨(dú)特的新型舉國體制優(yōu)勢，深耕能源領(lǐng)域，致力于戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、前瞻性的科技創(chuàng)新。其研究方向緊密貼合國家重大需求，為能源技術(shù)的突破與產(chǎn)業(yè)升級提供了強(qiáng)大的智力支撐和平臺(tái)保障。

長飛先進(jìn)，作為國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先行者，自創(chuàng)立以來便專注于該領(lǐng)域的研發(fā)與制造，是國內(nèi)最早具備從外延生長、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測完整產(chǎn)業(yè)鏈的IDM企業(yè)之一。公司憑借深厚的技術(shù)積累和強(qiáng)大的生產(chǎn)能力，已成功推出涵蓋650V至3300V電壓范圍的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）系列產(chǎn)品，其產(chǎn)能規(guī)模在國內(nèi)同行業(yè)中名列前茅，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場競爭力和廣闊的發(fā)展前景。

此次合作，雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同探索碳化硅功率器件的前沿技術(shù)，加速科技成果的轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。通過深度合作，雙方旨在推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等關(guān)鍵領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，助力能源系統(tǒng)的高效、清潔、智能化升級，為實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和目標(biāo)貢獻(xiàn)力量。

展望未來，長飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室的攜手合作，必將在碳化硅功率器件領(lǐng)域掀起新的技術(shù)革命和產(chǎn)業(yè)浪潮，共同開創(chuàng)綠色低碳、可持續(xù)發(fā)展的美好未來。