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江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時代

全球TMT ? 來源:全球TMT ? 作者:全球TMT ? 2024-09-04 11:26 ? 次閱讀
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深圳2024年9月4日/美通社/ -- 隨著消費者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長,市場上對元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲和處理速度上的核心作用,成為了廠商們尤為重視的焦點。在這一背景下,NAND Flash不僅需要滿足基本的存儲需求,更要在性能、可靠性以及耐用性上達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)??蛻羝谕牟辉賰H僅是"夠用",而是"超越期望"。

近日,在ELEXCON2024深圳國際電子展上,江波龍首次提出了PTM(存儲產(chǎn)品技術(shù)制造)商業(yè)模式。該模式的核心在于整合公司的自研存儲芯片、固件、硬件和先進(jìn)封測制造技術(shù),實現(xiàn)更靈活、更高效的全棧式定制化服務(wù)和一站式交付。

同時,江波龍還正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列產(chǎn)品,以創(chuàng)新技術(shù)滿足市場對高性能、高可靠性的閃存需求,為PTM商業(yè)模式下的自研存儲芯片注入了新動力。

全新制程工藝 業(yè)界領(lǐng)先性能

新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技術(shù)層面實現(xiàn)了重大突破。產(chǎn)品采用2xnm工藝,不僅實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的166MHz工作頻率,而且在電路設(shè)計上進(jìn)行了創(chuàng)新,有效降低了噪聲干擾,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速讀寫。在性能及容量不斷提升的同時,各應(yīng)用場景對于可靠性和微型化的要求并未降低。工程師團(tuán)隊針對不同SoC方案,通過高精度電路和改進(jìn)的讀寫算法,集成了具有更強(qiáng)糾錯能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基礎(chǔ)上,F(xiàn)ORESEE SLC NAND Flash具備更卓越的數(shù)據(jù)保持能力和擦寫耐用性。

經(jīng)過江波龍全面的測試流程驗證,該產(chǎn)品能夠滿足10萬次擦寫性能和10年數(shù)據(jù)保持時間的嚴(yán)苛要求。

自研Flash芯片 探索多元選擇

FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)兩種主流接口選項,并提供2Gb、4Gb和8Gb等多種容量選擇,支持-40~85℃至-40~105℃的寬溫工作環(huán)境,確保在極端環(huán)境下也能穩(wěn)定運行。此外,WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多樣化封裝形式,為不同應(yīng)用場景提供了靈活的集成設(shè)計方案。該款產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市場,為智能設(shè)備提供了強(qiáng)大的數(shù)據(jù)存儲支持。


迎接WiFi7時代 定制客戶未來所需

以無線路由器設(shè)備為例,當(dāng)前WiFi5&6使用的主流閃存容量為1Gbit甚至容量更小的128Mbit,但隨著WiFi7路由器、FTTR等高性能設(shè)備逐漸開始商用,需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能夠滿足其系統(tǒng)要求。同時,當(dāng)前主流的SPI NAND Flash主頻規(guī)格為120MHz,未來隨著AI及邊緣計算的規(guī)?;l(fā)展,133MHz和166MHz的更高主頻規(guī)格將有望成為市場"新寵"。

FORESEE團(tuán)隊深刻理解客戶需求,為了滿足市場對讀取性能的需求,F(xiàn)ORESEE 2Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品支持DTR模式,在不升頻的情況下,支持時鐘上升沿及下降沿接收地址信息并傳送數(shù)據(jù),并在Quad SPI模式下實現(xiàn)了數(shù)據(jù)吞吐量的顯著提升。此外,團(tuán)隊通過不斷優(yōu)化芯片設(shè)計,產(chǎn)品還加入了內(nèi)部cache的頁數(shù)據(jù)搬移技術(shù),極大提高了文件系統(tǒng)效率和關(guān)鍵數(shù)據(jù)的調(diào)用效率。

控制器與Flash設(shè)計+固件開發(fā)+封測制造

存儲芯片完整垂直整合能力

通過在NAND Flash、主控芯片和封測制造能力的一系列布局,江波龍在技術(shù)、制程工藝、產(chǎn)能效率以及供應(yīng)鏈管理等方面實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,進(jìn)一步提升在存儲芯片領(lǐng)域的綜合競爭力。從芯片設(shè)計到產(chǎn)品測試,再到規(guī)?;慨a(chǎn),江波龍已構(gòu)建起存儲芯片完整的垂直整合能力,為客戶提供一站式存儲產(chǎn)品技術(shù)制造的全棧定制服務(wù)。

未來,江波龍研發(fā)團(tuán)隊將不斷深化SLC NAND Flash芯片設(shè)計能力,持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品規(guī)格,增強(qiáng)SLC NAND Flash的易用性,為MLC NAND Flash的自主批量生產(chǎn)做好充分準(zhǔn)備,以適應(yīng)不斷變化的市場需求。同時,公司將繼續(xù)深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的應(yīng)用潛力,并融合前瞻性技術(shù),尋求更先進(jìn)的工藝節(jié)點來設(shè)計產(chǎn)品,從而加強(qiáng)產(chǎn)品線的協(xié)同效應(yīng),實現(xiàn)存儲性能與成本效益的最優(yōu)平衡,更好地服務(wù)全球客戶。



審核編輯 黃宇

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