MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？

一、前言

開關電源(SMPS)技術依托電源半導體開關設備，如金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和絕緣門雙極晶體管(IGBT)。這些設備提供了快速開關時間，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同樣重要的是，其在 On 狀態(tài)或 Off 狀態(tài)下消耗的功率非常小，實現(xiàn)了很高的效率，而生成的熱量很低。開關設備在極大程度上決定著 SMPS 的整體性能。開關設備的關鍵測量項目包括開關損耗、平均功率損耗等等。

二、功率損耗的原理圖和實測圖

一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。

圖1 開關管工作的功率損耗原理圖

實際的測量波形圖結果一般如圖2所示。

圖2 開關管實際功率損耗測試

三、MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別

對于普通MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說，不同周期的電壓和電流波形都不相同，因此功率損耗的準確評估依賴較長時間（一般大于100ms），較高采樣率（推薦1G采樣率）的波形捕獲，此時需要的存儲深度推薦在10M以上，并且要求所有原始數據（不能抽樣）都要參與功率損耗計算，實測截圖如圖3所示。

圖3 PFC MOSFET功率損耗實測截圖

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