作為一名芯片工程師，經(jīng)常跟回來(lái)的wafer打交道，你知道一片成品的wafer具體有哪些部分組成嗎?

首先我們先來(lái)搞清楚什么是Wafer?

Wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅(Si)構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個(gè)wafer上生產(chǎn)出來(lái)的。晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

一片wafer有多大?

其大小通常以直徑來(lái)表示，常見(jiàn)的尺寸有1英寸(25毫米)、2英寸(51毫米)、3英寸(76毫米)、4英寸(100毫米)、4.9英寸(125毫米)、150毫米(5.9英寸，通常稱為“6英寸”)、200毫米(7.9英寸，通常稱為“8英寸”)、300毫米(11.8英寸，通常稱為“12英寸”)和450毫米(17.7英寸) 。

一片晶圓可以切出多少芯片?

拋去良率因素，這是一個(gè)簡(jiǎn)單的圖形面積計(jì)算問(wèn)題，它的專(zhuān)有表征名詞是“DPW”，DPW是Die Per Wafer的縮略詞。晶圓可切割晶粒數(shù)(DPW)的計(jì)算是非常簡(jiǎn)單的，它的計(jì)算實(shí)際上是與圓周率π有密切的關(guān)聯(lián)。

晶圓上的晶粒其實(shí)可以看作是圓形所能容納下的所有方形的集合。可切割晶粒數(shù)的計(jì)算就是利用圓周率和晶圓尺寸作為已知參數(shù)，確定出整體圓形區(qū)域能容量下的方形數(shù)量。

國(guó)際上Fab廠通用的計(jì)算公式：

其中晶片面積=晶粒的長(zhǎng)度*晶粒的寬度。

聰明的讀者們一定有發(fā)現(xiàn)公式中 π*(晶圓直徑/2)的平方，不就是圓面積的式子嗎?再將公式化簡(jiǎn)的話就會(huì)變成：

接下來(lái)我們一起來(lái)看一張下面的圖，一起來(lái)認(rèn)識(shí)認(rèn)識(shí)哈。

1-芯片(Chip、Die)、器件(device)、電路(circuit)、微芯片(microchip)或條碼(bar)：所有這些名詞指的都是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形。 什么是Die? Die指的是芯片未封裝前的晶粒，是從wafer上用激光切割而成的一個(gè)單獨(dú)的晶圓區(qū)域，它包含了芯片的一個(gè)完整功能單元或一組相關(guān)功能單元。每個(gè)Die最終都切割成一個(gè)小方塊并封裝起來(lái)，成為我們常見(jiàn)的芯片。

2-劃片線(scribe line、saw line)或街區(qū)(street、avenue)：這些區(qū)域是在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片的間隔區(qū)。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或測(cè)試的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)光掩模版)。

3-工程試驗(yàn)芯片(engineering die)和測(cè)試芯片(test die)：這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同;它包括特殊的器件和電路模塊，用于對(duì)晶圓生產(chǎn)工藝的電性能測(cè)試。

4-邊緣芯片(edge die)：在晶圓的邊緣有一些掩模殘缺不全的芯片而產(chǎn)生面積損耗。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費(fèi)可以由采用更大直徑晶圓來(lái)彌補(bǔ)。推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為了減小邊緣芯片所占的比例，節(jié)省浪費(fèi)的資源。

5-晶圓的晶面(wafer crystal plane)：圖中的剖面展示了器件下面的晶格構(gòu)造。此圖中顯示的器件邊緣與晶格構(gòu)造的方向是相關(guān)的。

6-晶圓定位邊(wafer flat)/定位缺口(notche)：例如圖示的晶圓有主定位邊(major flat)和副定位邊(minor flat)，表示這是一個(gè)P型<100>晶向的晶圓。300mm和450mm直徑的晶圓都是用定位缺口作為晶體定向的標(biāo)識(shí)的。這些定位邊和定位缺口在一些晶圓生產(chǎn)工藝中還有助于晶圓的套準(zhǔn)。