Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實(shí)現(xiàn)相近的效率。應(yīng)用于大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流器、太陽(yáng)能微型逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。
應(yīng)用框圖
特性
源漏極導(dǎo)通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持續(xù)源漏極導(dǎo)通電流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通過(guò)Rg和UIS測(cè)試
材料兼容Pb-free RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
同步整流
初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)
DC/DC轉(zhuǎn)換器
太陽(yáng)能微型逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9462瀏覽量
229970 -
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
906瀏覽量
119571 -
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
+關(guān)注
關(guān)注
60文章
1378瀏覽量
89130
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
選型手冊(cè)：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
電動(dòng)車(chē)、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{D
選型手冊(cè)：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
電動(dòng)車(chē)、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{D
基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計(jì)用于處理大電流，這對(duì)于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET
onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南
76mΩ（在20V最大R~DS(ON)~ 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
的熱敏電阻，封裝為F1型。該電源模塊的特點(diǎn)是具有柵極源電壓+22V/-10V、77A漏極連續(xù)電流（在T~C~ = 80°C時(shí)（
選型手冊(cè)：MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
、輕型電動(dòng)車(chē)、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V
基于Vishay T15B系列TVS二極管的技術(shù)應(yīng)用分析
Vishay Semiconductors T15Bx ESD保護(hù)二極管具有結(jié)鈍化優(yōu)化設(shè)計(jì)，采用了鈍化各向異性整流器技術(shù)。這些ESD保護(hù)二極管具有1500W峰值脈沖功率能力和10/
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析
時(shí)）、487A連續(xù)源極-漏極二極管電流（+25°C時(shí)）以及單一配置。SiJK5100E通過(guò)UIS測(cè)試，無(wú)鉛和無(wú)鹵。
MOSFET的三重防護(hù)（1）
MOSFET的Drain（漏極）、Source（源極）、G（柵極）三個(gè)引腳，其兩兩之間都可以用TVS來(lái)做過(guò)壓保護(hù)。
選型手冊(cè)：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
逆變器、輕型電動(dòng)車(chē)、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）
車(chē)載電器EMC整改：T1到T3供應(yīng)商，智能化解決方案助你
南柯電子｜車(chē)載電器EMC整改：T1到T3供應(yīng)商，智能化解決方案助你
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
MOSFET輸入電容，Rg為MOSFET的柵極電阻。
VGS電壓從0增加到開(kāi)啟閾值電壓VTH前，漏極沒(méi)有電流流過(guò)，時(shí)間t1為：
VGS
發(fā)表于 02-26 14:41
SMA;用于SMD的卷軸包，13英寸;Q1/T1-Q2/T3產(chǎn)品定位
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SMA;用于SMD的卷軸包，13英寸;Q1/T1-Q2/T3產(chǎn)品定位.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-17 16:58
?0次下載
PESD3V3T1BLD雙向ESD保護(hù)二極管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PESD3V3T1BLD雙向ESD保護(hù)二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-11 14:13
?0次下載
PESD3V3T1BL雙向ESD保護(hù)二極管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PESD3V3T1BL雙向ESD保護(hù)二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-11 14:09
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論