德州儀器（TI）宣布，其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù)，將使TI的GaN功率半導(dǎo)體自有產(chǎn)能增加至原先的四倍。

TI的技術(shù)與制造資深副總裁Mohammad Yunus表示，憑借超過十年的GaN芯片設(shè)計(jì)與制造經(jīng)驗(yàn)，TI已成功驗(yàn)證并量產(chǎn)8英寸GaN技術(shù)，這是目前最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的GaN制造技術(shù)。這一里程碑的達(dá)成，不僅大幅提升了TI的GaN芯片自有產(chǎn)能，還計(jì)劃在2030年前將內(nèi)部制造比率提高至95%以上。同時(shí)，這也使得TI能夠從多個(gè)地點(diǎn)采購，確保高功率、節(jié)能GaN半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的可靠供應(yīng)。

TI指出，GaN作為硅的替代品，在許多領(lǐng)域都展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，包括節(jié)能效果、開關(guān)速度、電源解決方案的尺寸與重量、整體系統(tǒng)成本以及在高溫高壓條件下的性能等。GaN芯片能夠提供更高的功率密度，即在更小的空間內(nèi)提供更多功率，因此適用于筆記本電腦、手機(jī)電源適配器以及更小、更節(jié)能的加熱、空調(diào)系統(tǒng)和家用電器馬達(dá)等。目前，TI提供從低電壓到高電壓的最廣泛集成式GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)最節(jié)能、可靠且高功率密度的電子產(chǎn)品。

TI的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示，GaN使TI能夠在有限的空間內(nèi)提供更高效的功率，這是推動(dòng)眾多客戶創(chuàng)新的主要市場(chǎng)需求。服務(wù)器電源、太陽能發(fā)電和AC/DC轉(zhuǎn)接器等系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師正面臨減少功耗、提升能源效率的挑戰(zhàn)，他們對(duì)TI高性能GaN芯片的可靠供應(yīng)需求日益增加。TI的集成式GaN功率級(jí)產(chǎn)品組合讓客戶能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度、提升易用性并降低系統(tǒng)成本。此外，TI的專利硅基氮化鎵制程經(jīng)過超過8000萬小時(shí)的可靠性測(cè)試，并具備集成保護(hù)功能，確保高電壓系統(tǒng)安全可靠。

TI還指出，新產(chǎn)能采用市場(chǎng)上最先進(jìn)的設(shè)備制造GaN芯片，從而提升了產(chǎn)品性能和制程效率，并提供了成本優(yōu)勢(shì)。在TI不斷擴(kuò)展的GaN制造業(yè)務(wù)中，采用了更先進(jìn)、更高效的工具，能夠生產(chǎn)更小的芯片，并封裝更多功率。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅減少了水、能源和原材料的消耗，而且使用GaN芯片的最終產(chǎn)品也能享受到相同的環(huán)境效益。

TI強(qiáng)調(diào)，增加GaN制造規(guī)模的性能優(yōu)勢(shì)使其能夠?qū)aN芯片提升至更高的電壓水平，從900伏特開始，并逐步增加至更高電壓，從而進(jìn)一步推動(dòng)機(jī)器人、可再生能源和服務(wù)器電源等應(yīng)用的能源效率和尺寸創(chuàng)新。此外，TI的擴(kuò)大投資還包括在2024年初成功在12英寸晶圓上進(jìn)行GaN制造的試行作業(yè)。TI不斷擴(kuò)大的GaN制程技術(shù)可以完全轉(zhuǎn)移至12英寸晶圓上，以便根據(jù)客戶需求進(jìn)行調(diào)整，并在未來轉(zhuǎn)向12英寸技術(shù)生產(chǎn)。