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深度解析:Air780E模組之SIM卡接口電路的設(shè)計(jì)原理

青山老竹農(nóng) ? 來源:jf_82863998 ? 作者:jf_82863998 ? 2024-11-04 14:32 ? 次閱讀
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?SIM卡接口用于連接SIM卡并讀取SIM卡信息,以便在注冊(cè)4G網(wǎng)絡(luò)時(shí)進(jìn)行鑒權(quán)身份驗(yàn)證,是4G通信系統(tǒng)的必要功能。

合宙低功耗4G模組經(jīng)典型號(hào)Air780E支持兩路SIM卡,支持雙卡切換,便于設(shè)備靈活選擇,切換網(wǎng)絡(luò)。接下來,我們?cè)敿?xì)介紹SIM卡接口功能及其電路設(shè)計(jì)相關(guān)注意事項(xiàng),希望對(duì)您的應(yīng)用有幫助。

一、SIM卡接口功能簡介

Air780E模組支持2路USIM接口,支持雙卡單待功能,均符合ETSI和IMT-2000規(guī)范。

  • USIM1接口:
    自適應(yīng)支持1.8V和3.3V USIM卡;
  • USIM2接口:
    支持USIM卡的電平與模組GPIO電平配置相同。模組GPIO電平配置為1.8V時(shí),USIM2只支持1.8V的USIM卡;模組GPIO電平配置為3.3V時(shí),USIM2只支持3.3V的USIM卡。

1.1 SIM卡相關(guān)管腳

Air780E模組SIM卡信號(hào)相關(guān)管腳,詳見下方圖表:

圖片?

圖片?

1.2 SIM卡電氣特性

1)支持SIM卡類型:

  • USIM1接口:1.8V/3.3V USIM卡;
  • USIM2接口:
    與模組GPIO電平配置有關(guān)。模組GPIO電平配置為1.8V時(shí),只支持1.8V的USIM卡;模組GPIO電平配置為3.3V時(shí),只支持3.3V的USIM卡。

2)SIM卡在位檢測: USIM1支持;USIM2不支持。

3)支持協(xié)議: ETSI / IMT-2000

4)雙卡特性: 雙卡單待

圖片?

1.3 SIM卡時(shí)序

激活時(shí)序:

當(dāng)SIM卡的觸點(diǎn)接通序列結(jié)束后(RST處于低電平,VCC穩(wěn)定供電,ME的I/O處于接收狀態(tài),VPP被置為空閑狀態(tài),CLK提供適當(dāng)?shù)?、穩(wěn)定的時(shí)鐘),SIM卡準(zhǔn)備復(fù)位。

如下圖所示:

圖片?

t2≤200/fi;400/fi≤t1≤40000/fi;40000/fi≤t3。

  • 時(shí)鐘信號(hào)在T0時(shí)刻加到CLK觸點(diǎn),I/O總線在時(shí)鐘信號(hào)加到CLK觸點(diǎn)200個(gè)時(shí)鐘周期(T0時(shí)刻之后的t2時(shí)間段)之內(nèi)應(yīng)該處于高阻狀態(tài);
  • 內(nèi)部復(fù)位的SIM卡,在幾個(gè)時(shí)鐘周期之后開始復(fù)位,復(fù)位應(yīng)答應(yīng)該在400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)開始(T0時(shí)刻之后的t1時(shí)間段之內(nèi));
  • 低電平復(fù)位的SIM卡的復(fù)位信號(hào)至少在40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)RST觸點(diǎn)維持低電平(T0之后的t3時(shí)間段內(nèi)),如果在40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)沒有復(fù)位應(yīng)答,則RST觸點(diǎn)被置為高電平;
  • I/O端的復(fù)位應(yīng)答必須在RST上升沿開始的400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)開始(T1時(shí)刻之后的t1時(shí)間段之內(nèi));
  • 如果復(fù)位應(yīng)答在400~40000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)沒有開始(T1時(shí)刻之后的t3時(shí)間段之內(nèi)),則RST觸點(diǎn)的電平將被置為低電平(在T2時(shí)刻),觸點(diǎn)也將被ME釋放。

1.4 SIM卡切換功能

Air780E支持雙卡單待,同一時(shí)間只能使用其中一個(gè)SIM通道。可以通過相應(yīng)的AT指令或者LuatOS相應(yīng)的API,進(jìn)行SIM卡通道切換。

相關(guān)特性如下:

1)對(duì)于內(nèi)置貼片SIM卡的雙卡應(yīng)用場景,建議將貼片SIM卡置于SIM2通道,外置插拔SIM卡座置于SIM1通道,以實(shí)現(xiàn)優(yōu)先使用外置插拔SIM卡的效果。

2)由于Air780E是雙卡單待模式,因此同時(shí)只能有一張SIM卡在工作,系統(tǒng)在切換SIM卡時(shí),會(huì)重新注冊(cè)網(wǎng)絡(luò)。

3)模組開機(jī)會(huì)默認(rèn)檢測SIM1通道,在SIM1通道檢測到SIM卡不在位的情況下,才會(huì)去檢測SIM2通道。

4)USIM_DET信號(hào)為SIM卡插拔檢測管腳,上下邊沿電平觸發(fā)中斷,觸發(fā)系統(tǒng)進(jìn)行SIM1通道的卡在位檢測。而SIM2通道不支持SIM卡插拔檢測。

二、SIM卡接口電路設(shè)計(jì)

常用的SIM卡參考設(shè)計(jì)如下:

USIM1通道:

?

USIM2通道:

圖片?

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

1)SIM卡座與模組距離擺件不能太遠(yuǎn),越近越好,盡量保證SIM卡信號(hào)線布線不超過20cm。

2)SIM卡信號(hào)線布線遠(yuǎn)離RF線和VBAT電源線。

3)為了防止可能存在的USIM_CLK信號(hào)對(duì)USIM_DATA信號(hào)的串?dāng)_,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增加地屏蔽。且對(duì)USIM_RST_N信號(hào)也需要地保護(hù)。

4)為了保證良好的ESD保護(hù),建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在模組和SIM卡之間也可以串聯(lián)22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強(qiáng)ESD防護(hù)。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。

5)在需要模組進(jìn)入休眠的場景,SIM_DET禁止用VDD_EXT上拉,否則會(huì)造成無法休眠的問題;建議用VREF_VOLT上拉。

6)USIM2通道由于是與普通GPIO口復(fù)用,因此無法自適應(yīng)1.8V/3.3V USIM卡,USIM2的電平只能與VDD_EXT保持一致,也就是與模組GPIO電平保持一致。

7)USIM_DET只支持USIM1通道,通過中斷觸發(fā)系統(tǒng)查詢SIM卡是否在位,因此,USIM_DET只要是電平變化就能觸發(fā)中斷,無論是高電平或是低電平。

8)USIM2_DAT和USIM2_RST在模組內(nèi)部被4.7K上拉到USIM_VDD;USIM2_CLK通過100K上拉到RefVolt。因此如果要使用這三個(gè)管腳復(fù)用GPIO,要注意上拉電阻對(duì)外設(shè)的影響。

9)USIM1_VDD和USIM2_VDD共用同一個(gè)電源,內(nèi)部是同一個(gè)網(wǎng)絡(luò),因此USIM1_VDD和USIM2_VDD總是同時(shí)上下電,即使USIM2通道不使用。

三、SIM卡常見問題

在出現(xiàn)SIM卡不識(shí)別卡時(shí),測量SIM卡供電VDD_SIM,總是發(fā)現(xiàn)VDD_SIM為低電平?

原因解析:

SIM卡在初始化時(shí),系統(tǒng)會(huì)嘗試4次與SIM卡交互。此時(shí)VDD_SIM也會(huì)打開4次,分別在1.8V和3.3V交替檢測,若檢測不到SIM卡,VDD_SIM卡就會(huì)關(guān)閉,如下圖:

圖片?

因此在檢測不到SIM卡的情況下,USIM_VDD總是低電平。

設(shè)計(jì)建議:

VDD_SIM不輸出不是SIM卡不識(shí)別的原因,而是結(jié)果;SIM卡上任何一個(gè)信號(hào)異常,均會(huì)導(dǎo)致VDD_SIM自動(dòng)關(guān)閉。

?
審核編輯 黃宇

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